功率半导体行业深度报告：能源变革大时代，功率器件大市场--华福证券VIP专享VIP免费

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2023-04-30
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➢󰆏󲚸󰕯󰆏󲚸

➢󳘅󳎠󰄇󱙱󳘅󳎠󰄇󱙱

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󰓇 󰒟󳇖

󲣸󱱍S0210522110003

󲷥󱣨

Table_First|Table_Contacter

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󱐯

1󱛆󱉬2023W8 󰪿󲩰󱉬󱋩

󲲦󰌞󰨟 AI 󰦴󲲝󰎱󱸴 2023.02.27

2󱛆󱉬2023W7 󰑖󲀆󰱢

󰱢󳊶󲬦󱼡󰃞󱝪󰢜󲖃 2023.02.20

󱸴󰯇󳒠󰌭󱂾

Table_First|Table_Summary|Table _Excel1

➢ 󱰫󰀸󱰤󰃟󱂾󱝪󳊶󰂥Yole󰊧󰂥󳖻󰪂󱼪2025

󱄺󱂾󱠂󰝘󱎻󲛻󰝘󲳵76󱳅

113󱳅󱂾󰎦󳍋󰦴󲲝󱉬󰖠󱢀󲲥󳞨

󰑀󰑒󱃧󱝪󳊶󲪒󲶊󲬦

➢ 󰦴󲲝󱉬󲫂󱂾󰬨󱐁󱉬󰦴󲲝󱸴󰯇

󱰐󱉖󱉬󰦗󳠏󳊶󱰤󱽡󲪼󱯞󱃧󱂾

󱉬󰦴󲲝󱉬󱨲󱰖󱞱󲤺󱱠󰑱󱢀󰕯󲴅󰒜󲼆󳲇󰂥

󱐯󰊧󰂥󱰖󲣘󱂾󲲝󰑀󰑒71󱳅󰄇󱼪550󱳅

➢ 󲲝󲛻󱿦󰽾󱔤󰒶󰐶󲖃󱝪󱼫󲴓󱠦󱂾󳖽

󱃧󲲺󳠏󱂾󳠏󱠦󳖽󲲺󲲝󲛻SJ

MOSFETIGBT󱗪󱕼󱢀󲴒󰤋󲲺󳠏󱳅󲗸󱱱󱿦󱎻

󱃧󲲝󲛻󱂾󱼡󰃞󰑀󱉬󰦴󲲝󳈵󱝪

➢ 󱗪󱕼󱜦󲊻󰷰󱿨󱗪󱕼󱐯󰤋󱕼󳠏

󱂾󳗈󱂾󰂖󱵎󱢀󱸴󰋰󳒙󰐫󱖥󰂥Yole󰊧

󰂥󱗪󱕼2021󱄺󲛻󰝘󲳵10.9󱳅󲼈󳖻󲣘2027󲳵62.97

󱳅󲼈CAGR󳠏󲳵39%󱗪󱕼󳈵󱐯󰊫󲖣

󱉟󰑀󱐯󱾦󱞱󳌫󲛹

➢ 󲩻󲣥󰒸󱣘󰎭󳌯󱣘󱢀󱐯󰔾󱎻󲣥󰨟󰂮󰂮󱉬󳌲󰨧

󱜈 MOSFET󱐯󰔾󱎻󲣥󰨟󳌲󰨧󱜈󰋧󰨸󱸴󰂮󰂮󱉬󰥈

󱉬IGBT󱐯󰔾󱎻󲣥󰨟󰋦󲳵󰌭󱉬󰥋󱗪

󱕼󱐯󰔾󱎻󲣥󰨟󰋦󲳵󲴒󱢀

➢ 󳘅󳎠󰄇󱙱󱉬󰦴󲲝󱢀󰋧󱸴󰯇󲖃󳐷󰥹󳊶󳖻󰑖󲲝󲛻󱿦󰽾󲲝

󰌭󳌫󳖻󰑖󱠕

󲖟󲼄󰷰󱏿󳖻󰪂2023 4󰐿21 󰌜

󰊧󰂥󰒜󰯇Wind󱛆󲣸󱕋󱞭󱏿󳖻󰪂󰒜󱼡 Wind 󱼫󳖻󰑖

󱉬

2023 04 󰐿21 󰌜

Table_First|Table_Rating

󲬖󳏆󱰫󰀸󲣻󱯞

Table_First|Table_MarketInfo

󲖃󱐯󱐏󲪧

󳍖

Table_First|Table_Author

󰓇:

󰒟󳇖

󲣸󱱍S0210522110003

󲷥󱣨YZ3979@hfzq.com.cn

Table_First|Table_RelateRepor t

󱐯

1󱛆󱉬2023W13 󲸟󱃦󰑋

󲴮󱛲󰕯󱜈󱼡 2023.04.02

2󱛆󱉬2023W12 AI 󰃟󲀆󳖻

󰑖󱣎󱿦󰽾󰸤󰄇 2023.03.27

3󱛆󱉬2023W8 󰪿󲩰󱉬󱋩󲲦

󰌞󰨟 AI 󰦴󲲝󰎱󱸴 2023.02.27

󲤑 󱃧 󲤮󳌼󲤲󰑢󳖬󱎻󲼄󲚸󰍅

󱜧

󲤑 󱃧 2 󲤮󳌼󲤲󰑢󳖬󱎻󲼄󲚸󰍅

󲖃󰬨󱕋󱞭|󱉬

󰢚󰊾󱐥

1. 󱰫󰀸󱰤󰃟󱂾󱝪󳊶 .............................. 5

1.1 󱂾󱰄󱦲 .............................................. 5

1.2 󱂾󱃧󰿭 ............................................ 7

1.3 󱂾󰎦󳍋󰦴󲲝󱉬󰖠󲲥󳞨..................... 9

2. 󰦴󲲝󱉬󲫂󱂾󰬨󱐁 ........................... 12

2.1 󱉬󰦴󲲝󲵖󰭎󲵆IGBTMOSFET 󰐷󱐁 ........................... 12

2.2 󳟃󲣸󲼄󲲝󲛻󱠕󰕳 ............................... 15

2.3 󲲝󲛻󲼄󲼄󳳐󰐐󱕫󰎊 ............................... 22

3. 󳈵󲴢󱑀󱒢󱵃 ............................. 27

3.1 󱱏󰉶󰧲+󱿦󰽾󱔤󱱱󰥹󱕫󲶊 .............................. 27

3.2 IDM Fabless 󳲇󰐶󱝪󰢜󲖃 ............................ 29

4. 󱗪󱕼󱜦󲊻󰷰󱿨 ............................. 32

4.1 󰋧󰒇󰋐󰋧󰑱󲵾󰋧󲫂 ........................................... 32

4.2 󲖣󰂥󳠏 ........................................... 35

4.3 󱗪󱕼󲵖󲲝󱱊󲜚󲼃󱝂󰹝󲎈 ..................................... 38

5. 󲩻󲣥󲴒󰐶󳞣󲭻󰑣󱹨󳗍󱵃 ..................... 41

5.1 󰋦󲳵 ......................................................... 41

5.2 󳌲󰨧󱜈 ......................................................... 42

5.3 󰌭󱉬󰥋 ......................................................... 43

5.4  ........................................................... 44

5.5 󰋧󰨸󱸴 ........................................................... 45

5.6 󰂮󰂮󱉬 ......................................................... 45

5.7 󰥈󱉬 ......................................................... 46

5.8 󲴒 ......................................................... 47

6. 󳘅󳎠󰄇󱙱 ......................................................... 48

󱜧

󲤑 󱃧 3 󲤮󳌼󲤲󰑢󳖬󱎻󲼄󲚸󰍅

󲖃󰬨󱕋󱞭|󱉬

󲖟󱐥

󲖟 1󱦲 ......................................................................................................... 5

󲖟 2󱂾󳗔󰤋 ............................................................................... 5

󲖟 3MOSFET 󰾠󱦲 MOSFET 󱰊󰒻󱸴󰤋󲲺 ....................................... 6

󲖟 4IGBT 󰾠 IGBT 󱣘󰝘 IPM 󱸴󰤋󲲺 ............................................... 7

󲖟 5IGBT 󰎭󲵗󲳾󱝂 ............................................................................................ 7

󲖟 6󱂾󲬦 ................................................................................... 8

󲖟 72017-2022E 󱂾󲛻󰝘󱳅󲵖󳖻󰪂 ...................... 8

󲖟 8󰢙 2022 3󰐿󳒙󰑀󱂾󳖽󱎻󲸟󲼄󰷰󰉶󱢍󲛻 ........... 8

󲖟 9󱂾󱎻󱉟 ....................................................................................... 9

󲖟 10 IGBT MOSFET 󲛻󰝘󳖻󰪂2020-2023E ............... 9

󲖟 112020  2026 󱄺 MOSFET 󱉟󳖽󳐷󰥹󰤋󳊶󳖻󰪂 .......... 10

󲖟 12󲲝󲛻󱯞 IGBT 󲛻󰝘󲵖 ................................................................. 10

󲖟 13󲲝󲛻󱯞 MOSFET 󲛻󰝘󲵖 .......................................................... 10

󲖟 14󱉬󲣵󰋴󲛻󰝘 .................................................................... 11

󲖟 15󱉬󰖠󰑣󲜚 .............................................................................................. 11

󲖟 16󰋧󲗼󰑱󳖻󰪂GW ..................................................................... 11

󲖟 17󲴽󰑣󲜚 ...................................................................................... 11

󲖟 18󰦴󲲝󱎵󳒠 ................................................................................................. 12

󲖟 192016 󱼪2022 Q1-Q3 󱉬󰦴󲲝󰭎󲵆󱂾󲪧% .................................. 13

󲖟 202022 1-9 󰐿󱄺󰋧󱸴󰯇󰦴󲲝󳈷󲼆 .................................................... 13

󲖟 212013-2022 󰋧󱸴󰯇󰦴󲲝󳈷󲼆󲲽 .................................................. 13

󲖟 22󱄺󲸟 800V 󱨲󱰖󲲝󰌭󳌫 .................................................. 14

󲖟 23󰦴󲲝 EPS 󰃞󱖣󰋰󰕿 ............................................................................. 14

󲖟 24󱂾󱉬󰦴󲲝󱎻󱉟 .................................................................... 15

󲖟 25󱄺󱂾󰃉󰥈󱳅󰥾󱂾󰁀 7󲣘󱣎 ...... 15

󲖟 26󲀨󳘕󲩙󰊧󰂥 .............................................................................................. 16

󲖟 27󰘥󱳅󲩙󰊧󰂥 .............................................................................................. 16

󲖟 28󱂾󳈵 ................................................................................... 17

󲖟 29󱂾󲖟󳈷󳗔 ..................................................... 17

󲖟 302020 󱄺󱂾 IGBT 󱣘IPM󰝘󰃉 ........................... 19

󲖟 31IGBT 󰑦󲴤 ............................................................................................... 19

󲖟 32󱉬󳞨󱙱󱉬󰑱󰃞󰑣󲜚 ..................................................... 19

󲖟 332022 Q1 󰋧󱸴󰯇󰦴󲲝󱂾󰝘󱠕󰕳 ...................................... 20

󲖟 342022 xEV 󱉬󰃞󲩞󲼆 ............................................... 20

󲖟 352022 󱯦󱉬󰦴󲲝󱉬󰑱󰃞󱂾󰝘󳈵󱨲 .......................... 21

󲖟 36󱂾󰑦󲫂 ........................................................................ 22

󲖟 37󱂾󲵗󱾱 ...................................................................................... 23

󲖟 38󱂾󰑦󲴤󲬦󱯶 ............................................................................... 24

󲖟 39󱂾󰑦󰁈󲜚󰋰󰕿 .................................................................... 24

󲖟 40󰦴󲲝󲩟󲼆󲣛󲣸󱨲 .......................................................................................... 25

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󲖟 43󰊧󲼆󳊶󲫂󱐯󰤋 .......................................... 27

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1T行业研究行业深þ研究证x研究ç告Table_FirstTable_SummaryTable_FirstTable_Summaryß率半ü体行业深þç告ß率半ü体电子行业ß率半ü体投资要点ÿ➢摘要一心÷2摘要一内容➢摘要Ð心÷2摘要Ð内容➢摘要O心÷2摘要O内容➢风险ð示ÿ风险ð示内容Table_FirstTable_Rating强于一内团队r员Table_FirstTable_AuthorV析师执业证书邮箱ÿTable_FirstTable_ContacterTable_FirstTable_RelateReport相sç11:0ð依旧，21:0漫长路，能源Ù革大时代，ß率器þ大`场Table_FirstTable_SummaryTable_Excel1➢多维`场持续èú，ß率半ü体稳健增长2据Yole数据预测，ó2025，全球ß率半ü体V立器þ和模块的`场规模将V别达到76亿美元和113亿美元2ß率半ü体前o广阔，在汽车1充电桩ÛZ储等多ï驱úQ，p望àĀ稳健增长，~千亿赛道奠定_à路Ā2➢汽车电ú化大势所，ß率半ü体深þØ益2电ú化使得汽车能源供ÿ发生áÙ化，电高压化使长续航和超ÿ快充得以àĀ2ß率半ü体作~电ú汽车大小O电系统1空调压缩机等心，将迎来量ÿ齐升2据相s数据统«，ß率半ü体W车ÿ值p望Ð71美元ð升ó550美元þô2➢车规芯wï业短板，ÿïÿ代行稳ôà2sÿ在P端ß率半ü体域已àĀ较高ÿï化率2但中高端ï品域，因壁垒较多，如车规SJMOSFET，IGBT和碳化硅等，ß口占比较高2在美v裁和缺芯的`Q，àĀ车规ß率半ü体自ÿç，pû于电ú汽车供à链á全和稳定2➢碳化硅器þ厚ÿ薄发，ÿ内a局多点开花2碳化硅相比硅器þ，在高ß率1开s频率和损耗等性能方面更à`_，发展x备确定性2据Yole数据，碳化硅2021全球`场规模达10.9亿美金，预«到2027将达62.97亿美金，CAGR高达39%2ÿ内碳化硅ï业链相ü完整，Ð衬á1外延到器þ和à用均p相s厂商a局，发展势头ï好，`场空间ÿÊ2➢投资建¯ÿÐ极管1晶闸管等，相s标的建¯s注ÿ捷捷微电1闻泰科ĀMOSFET相s标的建¯s注ÿ闻泰科1ð洁能1捷捷微电1民德电子ĀIGBT相s标的建¯s注ÿï达半ü1时代电气1士q微Ā碳化硅相s标的建¯s注ÿï达半ü1天岳Yß等2➢风险ð示ÿ电ú汽车等ð能源行业需求增长OÛ预期1车规芯wP车时间OÛ预期1`场竞Ïà剧2Ā表ÿÞ点ø盈利预测ÿ20234o21日Ā数据来源ÿWind，_福证x研究所ÿ盈利预测均来自Wind一ô预期Ā电子202304o21日Table_FirstTable_Rating跟大`ÿ维持评ÿĀTable_FirstTable_MarketInfo一内行业相ü大盘走势团队r员Table_FirstTable_AuthorV析师:杨钟执业证书编÷ÿS0210522110003邮箱ÿYZ3979@hfzq.com.cnTable_FirstTable_RelateReport相sç告11:0_福电子12023W13周çÿ外部ÿ境扑朔迷离，心科自强O息;一2023.04.0221:0_福电子12023W12周çÿAIèú复苏预期，大算力芯w热þð升;一2023.03.2731:0_福电子12023W8周çÿí¾电子疲ð依旧，s注AIÛ汽车智能化;一2023.02.27诚信_业发Āÿ值ÿá必阅üç告p页的Þ要声明丨øaĀ诚信_业发Āÿ值2ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子l文目录1.多维`场持续èú，ß率半ü体稳健增长..............................51.1ß率半ü体Ï绍ÛV类..............................................51.2中ÿß率半ü体发展Ā状............................................71.3ß率半ü体前o广阔，汽车1充电桩和Z伏多ï驱ú.....................92.汽车电ú化大势所，ß率半ü体深þØ益...........................122.1电ú汽车à渗，IGBT1MOSFET最YØ益...........................122.2à快ï品开发验证，Þ塑车规竞Ï格局...............................152.3车规器þ壁垒ÞÞ，ÿï龙头曙Z破晓...............................223.供à链á全ð在眉睫，ÿï厂商乘势而P.............................273.1地缘治+芯w短缺，ï业û求破局之道..............................273.2IDMÛFabless齐发力，ÿïÿ代稳n前行............................294.碳化硅器þ厚ÿ薄发，ï业a局多点开花.............................324.1ð材料1ð机遇1ð势...........................................324.2衬á和外延占据ÿ值高地...........................................354.3碳化硅àP车，缓解Ý程焦虑.....................................385.投资建¯ÿß口ÿ代马O停蹄，q土厂商脱而û.....................415.1ï达半ü.........................................................415.2闻泰科.........................................................425.3时代电气.........................................................435.4士q微...........................................................445.5ð洁能...........................................................455.6捷捷微电.........................................................455.7民德电子.........................................................465.8天岳Yß.........................................................476.风险ð示.........................................................48丨øaĀ诚信_业发Āÿ值3ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子Ā表目录Ā表1ÿ半ü体V类.........................................................................................................5Ā表2ÿ各ß率半ü体`场份额占比...............................................................................5Ā表3ÿMOSFETà物ÛO`类型MOSFET结构和性能比较.......................................6Ā表4ÿIGBTà物ÛIGBTW管1模块和IPM性能比较...............................................7Ā表5ÿIGBT晶圆v过程............................................................................................7Ā表6ÿ中ÿß率半ü体发展路ß...................................................................................8Ā表7ÿ2017-2022E中ÿß率半ü体`场规模ÿ亿美元ĀÛ增预测......................8Ā表8ÿ截k20223o，ÿ家层面psß率半ü体域的部VÞ点策规划...........8Ā表9ÿß率半ü体的O`à用.......................................................................................9Ā表10ÿ中ÿ`场IGBT和MOSFET`场规模预测ÿ亿元，2020-2023EĀ...............9Ā表11ÿ2020和2026全球MOSFET在各à用域需求占比Û增长预测..........10Ā表12ÿ中ÿ车规ÿIGBT`场规模Û增.................................................................10Ā表13ÿ中ÿ车规ÿMOSFET`场规模Û增..........................................................10Ā表14ÿ中ÿ充电设施`场规模ÿ亿元Ā....................................................................11Ā表15ÿ充电桩rqV解..............................................................................................11Ā表16ÿ中ÿð增Z伏装机预测ÿGWĀ.....................................................................11Ā表17ÿZ伏逆Ù器rqV解......................................................................................11Ā表18ÿ汽车Ù革.................................................................................................12Ā表19ÿ2016ó2022Q1-Q3中ÿ电ú汽车渗率走势ÿ%Ā..................................13Ā表20ÿ20221-9o，全球各ÿð能源汽车销量....................................................13Ā表21ÿ2013-2022中ÿð能源汽车销量ÿ万辆Ā..................................................13Ā表22ÿ全球Û中ÿ部V800V系统车型ÛP`时间..................................................14Ā表23ÿ汽车EPSçv器硬þ方案.............................................................................14Ā表24ÿß率半ü体在电ú汽车P的à用....................................................................15Ā表25ÿ全球前十大ß率半ü体厂商排aÿ亿元，人民_P美元汇率按7«算Ā......15Ā表26ÿ英飞凌¯á数据..............................................................................................16Ā表27ÿá森美¯á数据..............................................................................................16Ā表28ÿ中ÿß率半ü体ï业链...................................................................................17Ā表29ÿ中ÿß率半ü体代表企业销额ÿ亿元Ā.....................................................17Ā表30ÿ2020全球ß率半ü体厂家IGBTW管1IPM1模块排a...........................19Ā表31ÿIGBT术迭代...............................................................................................19Ā表32ÿ电驱ú总r示意Ā和电机çv器rqV解.....................................................19Ā表33ÿ2022Q1中ÿð能源汽车ß率模块`场竞Ï格局......................................20Ā表34ÿ2022xEV电ç供à商供¯量Vaÿ万套Ā...............................................20Ā表35ÿ2022中ÿ纯电ú汽车电机çv器Pß率模块供à链s系..........................21Ā表36ÿß率半ü体器þ术发展势........................................................................22Ā表37ÿß率半ü体vý艺......................................................................................23Ā表38ÿß率半ü体术迭代路线...............................................................................24Ā表39ÿß率半ü体术挑战和解ô方案....................................................................24Ā表40ÿ汽车°量认证体系..........................................................................................25Ā表41ÿ汽车供à链P1Q游格局在渐演Ù.............................................................25Ā表42ÿß率半ü体器þrq结构...............................................................................26Ā表43ÿ半ü体Ð业人员数量增长势Û各相s岗O占比..........................................27丨øaĀ诚信_业发Āÿ值4ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子Ā表44ÿ2021-2022汽车缺芯ü全球汽车ï量影响ÿ万辆Ā...................................27Ā表45ÿ2018-2021部V企业中ÿß率半ü体ï品销量..........................................28Ā表46ÿ2011-2021中ÿ集r电路ï量ÿ亿Ā......................................................28Ā表47ÿ部V车企a局芯wï业...................................................................................29Ā表48ÿ中ÿß率半ü体ï业链Vý...........................................................................30Ā表49ÿIDM1Fabless和Foundry模式比较............................................................31Ā表50ÿ中ÿTop60ß率半ü体厂家中IDM1Foundry1Fabless数量...................31Ā表51ÿ燃油车P各类电ú汽车芯wÿ值组r.............................................................32Ā表52ÿ碳化硅性能`势..............................................................................................32Ā表53ÿ常Éß率半ü体比较......................................................................................33Ā表54ÿ碳化硅ß率半ü体器þ`场规模预测2021-2027E........................................33Ā表55ÿ全球碳化硅ß率器þ各厂家2020-2021E营收ÿ万美元Ā........................34Ā表56ÿ碳化硅ß率半ü体器þrqÙ化势.............................................................34Ā表57ÿ全球Û中ÿ碳化硅企业ï品a局ÿ部VĀ.....................................................35Ā表58ÿ碳化硅ß率器þPQ游ï业链........................................................................36Ā表59ÿÿ内碳化硅ß率器þï线规划和要参P企业..............................................36Ā表60ÿ碳化硅衬á在电ú汽车à用需求预测.............................................................37Ā表61ÿ2020全球碳化硅衬á`场格局..................................................................37Ā表62ÿ碳化硅外延w`场预测ÿ万美金Ā.............................................................38Ā表63ÿ企业间\作于多化...................................................................................39Ā表64ÿ碳化硅在电ú汽车P各ï品à用`场规模预测2021-2027ÿ万美元Ā......39Ā表65ÿ碳化硅ü电ú汽车充电时间的影响................................................................40Ā表66ÿï达半üIGBT模块û¯量ÿ万只Ā.............................................................41Ā表67ÿï达半ü营收和_母净利ÿ亿元Ā................................................................42Ā表68ÿï达半ü毛利率和净利率Ù化........................................................................42Ā表69ÿ闻泰科营收和_母净利ÿ亿元Ā................................................................43Ā表70ÿ闻泰科毛利率和净利率Ù化........................................................................43Ā表71ÿ时代电气营收和_母净利ÿ亿元Ā................................................................44Ā表72ÿ时代电气毛利率和净利率Ù化........................................................................44Ā表73ÿ士q微营收和_母净利ÿ亿元Ā....................................................................44Ā表74ÿ士q微毛利率和净利率Ù化...........................................................................44Ā表75ÿð洁能营收和_母净利ÿ亿元Ā....................................................................45Ā表76ÿð洁能业á结构..............................................................................................45Ā表77ÿ捷捷微电营收和_母净利ÿ亿元Ā................................................................46Ā表78ÿ捷捷微电毛利率和净利率Ù化........................................................................46Ā表79ÿ民德电子<SmartIDM=生态圈........................................................................46Ā表80ÿ天岳Yß营收和_母净利ÿ亿元Ā................................................................47Ā表81ÿ天岳Yß半ü毛利率和净利率Ù化................................................................47Ā表82ÿÞ点ø盈利预测ÿ20234o21日Ā.....................................................47丨øaĀ诚信_业发Āÿ值5ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子1.多维`场持续èú，ß率半ü体稳健增长1.1ß率半ü体Ï绍ÛV类ß率半ü体，又Ā电力电子器þ或ß率电子器þ，是电子ï业链中最心的一类器þ之一2能够àĀ电能转换和电路çv，在电路中要Ā着ß率转换1ß率大1ß率开s1线路保æ1逆Ùÿ直流转交流Ā和整流ÿ交流转直流Ā等作用2Ā表1ÿ半ü体V类数据来源ÿß率半ü体器þ标准化皮书，_福证x研究所ß率半ü体包括ß率半ü体V立器þÿ含模块Ā以Ûß率IC等2w中，ß率半ü体V立器þ，按照器þ结构划V，ÿV~Ð极管1晶闸管和晶体管等2Ā表2ÿ各ß率半ü体`场份额占比数据来源ÿ中商ï业研究院，_福证x研究所据中商ï业研究院数据，ß率半ü体V立器þ中，以MOSFET和IGBT~代表的晶体管占比最大，þ28.8%2Ð目前`场需求来看，硅ĀMOSFET1硅ĀIGBT以Û碳化硅~目前ß率半ü体V立器þ的力ï品2q文也将Þ点围绕硅ĀMOSFET1IGBT和碳化硅等ß率V丨øaĀ诚信_业发Āÿ值6ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子立器þÿ含模块Ā展开V析和研究2➢MOSFET，xp输入阻抗高1噪声P1热稳定性好1vý艺简W和射强等`点，通常被用于大电路或开s电路2MOSFET按照O`的ý艺ÿV~面型PlanarMOSFET1沟槽型TrenchMOSFET1屏蔽栅SGTMOSFET和超ÿ结SJMOSFET2按照ü电沟道ÿV~N沟道和P沟道，sN-MOSFET和P-MOSFET2按照栅极电压幅值ÿV~耗}型和增强型2Ā表3ÿMOSFETà物ÛO`类型MOSFET结构和性能比较数据来源ÿYole，开信息整理，_福证x研究所着MOSFET术和ý艺O断r熟，rq将O断Q调2中高端ï品也将渐向中P端ï品Q沉2比如TrenchMOSFET将Ð中端Q沉ó中P端，ÿ代部V面MOSFET的P端`场2SGTMOSFET将部Vÿ代TrenchMOSFET的P压à用`场，Ð中高端Q沉ó中端2SGTMOSFET1SJMOSFET和碳化硅MOSFET或是MOSFETo来O大力ï品2自P世纪70代MOSFETà生以来，Ð面MOSFET发展到TrenchMOSFET，Þ到SGTMOSFET和SJMOSFET，Þ到`Q火热的第O代宽禁带MOSFETÿ碳化硅1氮化镓Ā，ß率MOSFET的术迭代方向要围绕v程1设«ÿ结构PÙ化Ā1ý艺`化以Û材料Ù更，以àĀ器þ的高性能——高频率1高ß率和P损耗等2➢IGBT俗Ā电力电子装置的<CPU=，是能源Ù换P传输的心器þ，由BJT和MOSFET组\而r，是一种全ç型1电压驱ú的ß率半ü体器þ2IGBT没p大电压的ß能，ü通时ÿ以看做ü线，断开时`做开路2IGBT`时xpBJT和MOSFET的`点，s高输入阻抗1Pü通压降1驱úß率小而饱和压降P等，IGBTPBJT或MOS管相比，w`势是它ð供了一个比标准Ý极型晶体管更大的ß率增益，以Û更高的ý作电压和更P的MOS管输入损耗2因m广泛à用于直流电压~600VÛ以P的Ù流系统如交流电机1Ù频器1开s电源1照明电路和牵引传ú等场o2丨øaĀ诚信_业发Āÿ值7ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子Ā表4ÿIGBTà物ÛIGBTW管1模块和IPM性能比较数据来源ÿ英飞凌，开信息整理，_福证x研究所IGBT相比MOSFET，ÿ在更高电压Q持续ý作，`时需要顾高ß率密þ1P损耗1高ÿ靠性1散热好1Prq等因素2一高性能1高ÿ靠性PPrq的IGBT芯w，O仅仅需要在设«端O断`化器þ结构，ü晶圆v和封装也ð高了更高的要求2Ā表5ÿIGBT晶圆v过程数据来源ÿYole，_福证x研究所1.2中ÿß率半ü体发展Ā状ï品由P端n走向中高端，ÿïÿ代空间广阔2sÿß率半ü体ï业Ï处于Ān阶段，总体呈Āï业链完整1厂家多1发展迅等特点2截k20224o，中ÿß率半ü体相s企业已超320家2要Va在广东ÿ130家Ā和苏ÿ56家Ā等东Y沿海地2丨øaĀ诚信_业发Āÿ值8ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子ÿïß率半ü体已在_多域à用，特别是P端ï品，如Ð极管1O极管1晶闸管1P压MOSFETÿ非车规Ā等，已初Ā<规模化效à1ÿï化率相ü较高=等特点2在中高端域，如SJMOSFET1IGBT1碳化硅等，特别是车规ï品，由于Ān晚1ý艺相ü复g以Û缺O车规验证机b等þ，ÿ内厂家依然在追海外厂家术发展路线2但à来，`场渐Ð依赖ß口向ÿ内自ÿ自足转Ù，ÿïÿ代潜力大2Ā表6ÿ中ÿß率半ü体发展路ß数据来源ÿ前瞻ï业研究院，_福证x研究所芯wß口金额持续处于高O，ß率半ü体`场空间足够大2据中ÿ海s总署数据，2021，中ÿß口集r电路6354.8亿个，`比增长16.92%2全ß口金额累«~4325.54亿美元，`比增涨23.59%2中ÿ~ß率半ü体í¾大ÿ，2021中ÿß率半ü体`场规模þ~183亿美元，`比增长6.4%，预«2022将ß一n增长ó191亿美元2Ā表7ÿ2017-2022E中ÿß率半ü体`场规模ÿ亿美元ĀÛ增预测数据来源ÿOmdia，中商ï业研究院，_福证x研究所ÿ家和地方策支持，àÿïÿ代ß程2Ø益于ÿ家和地方府的鼓ó策，ÿ内电ú汽车P充电桩1Z伏P储能等域需求增长，ß率半ü体竞Ï格局p望被Þ塑——ÿ内ß率半ü体的ÿï化ß程p望à2Ā表8ÿ截k20223o，ÿ家层面psß率半ü体域的部VÞ点策规划丨øaĀ诚信_业发Āÿ值9ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿ府官网，前瞻ï业研究院，_福证x研究所1.3ß率半ü体前o广阔，汽车1充电桩和Z伏多ï驱úß率半ü体à用前o广阔，几N涵盖了所p电子ï业链2以MOSFET1IGBT以ÛSiCMOSFET~代表的ß率器þ需求旺盛2据性能O`，广泛à用于汽车1充电桩1Z伏发电1风力发电1í¾电子1轨道交通1ý业电机1储能1航空航天和军ý等_多域2Ā表9ÿß率半ü体的O`à用数据来源ÿYole，_福证x研究所据Yole数据预测，ó2025，全球ß率半ü体V立器þ和模块的`场规模将V别达到76亿美元和113亿美元2据中ÿï业信息网数据，2023中ÿ大Ø地IGBT`场规模预«达到290.8亿元，`比增长11.6%2据中ÿ半ü体器þ行业Ā状深þV析Po来投资预测ç告数据，2023中ÿ大Ø地MOSFET`场规模将达到396.2亿元ÿ56.6亿美元，人民_兑美元汇率按照7«算Ā，`比增长4.8%2Ā表10ÿ中ÿ`场IGBT和MOSFET`场规模预测ÿ亿元，2020-2023EĀ丨øaĀ诚信_业发Āÿ值10ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿ思瀚ï业研究院，中ÿï业信息网，_福证x研究所以MOSFET~例，据Yole预测，到2026，全球MOSFETÿ包括V立器þ和模块Ā`场总规模预«将达到94.8亿美元，复\增长率达3.8%ÿ2020ó2026Ā2MOSFET汽车à用ÿ电ú汽车和汽车充电桩Ā占比居首O，高达33%，w中电ú汽车和充电桩V别占比25%和8%2Ð耐压范围看，到2026，P压MOSFETÿ0-40VĀ占总需求的39%，中压ÿ41V-400VĀ占26%，高压ÿ大于等于600VĀ广泛à用在220V系统中，占总需求的35%2`时，SiCMOSFET和GaNMOSFET`场渗率在nð高2Ā表11ÿ2020和2026全球MOSFET在各à用域需求占比Û增长预测数据来源ÿYole，_福证x研究所2020以来，电ú汽车1汽车充电桩和Z伏逆Ù器ÿ谓拉úß率半ü体增长的O驾马车2➢电ú汽车ÿ电ú汽车ß一n渗终端í¾`场，带úß率器þ和模块需求快增长2特别是MOSFET和IGBTÿ包括W管Û模组Ā的增长较~显著2据贝壳投研数据，2021中ÿ车规ÿIGBT`场规模~47.8亿元，预«到2025，w将达到151.6亿元2据芯谋研究数据，2021和2025中ÿ车规MOSFET的`场规模V别~73.5亿元ÿ10.5亿美元，汇率按7«算Ā和122.5亿元ÿ预测数据，17.5亿美元，汇率按7«算Ā2Ā表12ÿ中ÿ车规ÿIGBT`场规模Û增Ā表13ÿ中ÿ车规ÿMOSFET`场规模Û增丨øaĀ诚信_业发Āÿ值11ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子➢充电桩ÿØ益于ð能源汽车快增长，P之配套的充电桩`场î呈Ā快发展态势2据亿o数据预测，ó2026，中ÿ充电设施`场规模将达2870.2亿元，2022到2026复\增长率高达37.83%2Ð直流充电桩相sö部þV解ÿ以看û，充电机是充电桩的最心部þ，rq占充电桩的50%以P，而ß率半ü体是充电机的最心组r部V，rq占充电机的一半以P2➢Z伏ÿ据中ÿZ伏行业`b数据，ó2025，中ÿð增Z伏装机保à预测~90GW，`比增长10%2据o来智ß数据预测，2025中ÿZ伏逆Ù器`场规模达196亿元2逆Ù器是Z伏系统的心脏，中高压MOSFET1IGBTÛ碳化硅等ß率器þ是Z伏逆Ù器的心，wô定着Z伏逆Ù器的性能高P，ß而直接影响Z伏系统的稳定性1发电效率以Û使用寿命2据中商ï业研究院数据，Z伏逆Ù器要由机ðþ1电感和半ü体器þ构r，V别占比27.6%114.2%111.8%2数据来源ÿ贝壳投研，飞鲸投研，_福证x研究所数据来源ÿ芯谋研究，_福证x研究所_福证x研究所Ā表14ÿ中ÿ充电设施`场规模ÿ亿元ĀĀ表15ÿ充电桩rqV解数据来源ÿ亿o数据，_福证x研究所数据来源ÿ前瞻ï业研究院，_福证x研究所_福证x研究所Ā表16ÿ中ÿð增Z伏装机预测ÿGWĀĀ表17ÿZ伏逆Ù器rqV解丨øaĀ诚信_业发Āÿ值12ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子综P，在电ú汽车1充电桩以ÛZ伏逆Ù器等多ï驱úQ，ß率器þp望稳健增长，~千亿赛道奠定_à路Ā22.汽车电ú化大势所，ß率半ü体深þØ益汽车的óÝ，数次术Ù革都极大的èú了汽车í¾和汽车ý业的发展，如发ú机çv1自úÙ1á盘1被úá全1通信Û多媒体影音等术2虽然àß术ÿ汽车的驾驶感Ø和舒适性都带来了ð升，但汽车能源供ÿ方式1驾驶方式以Û驱ú方式都没p发生Ù化2Ā表18ÿ汽车Ù革数据来源ÿ网þĀw，_福证x研究所如Î，传统燃油车ú力和传ú系统将被电ú车的大1小O电系统×代2自ú驾驶1线çá盘1网联化和ðþ化，车1路和ß端``等赋Î了汽车ð的定义和生命力2汽车已OÞWW是一个载客的交通ýx，而是被定义~一个智能科终端1ÿ以在w中ý作和休闲的第O移ú空间22.1电ú汽车à渗，IGBT1MOSFET最YØ益电ú汽车作~ð能源汽车的最Þ要载体和代表，是载Yß汽车科的代a词，数据来源ÿ中ÿZ伏行业`b，_福证x研究所数据来源ÿ中商情ç网，_福证x研究所_福证x研究所丨øaĀ诚信_业发Āÿ值13ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子也渐r~í¾者选择的流2而中ÿ已r~引全球电ú汽车术发展的最大的ð能源汽车ï销`场22016中ÿ电ú汽车`场渗率仅p1%2而在疫情等外界因素影响之Q，2022前O季þ中ÿ电ú汽车`场渗率已经达到24%，àĀ了飞跃式增长2Ā表19ÿ2016ó2022Q1-Q3中ÿ电ú汽车渗率走势ÿ%Ā数据来源ÿ麦肯锡，_福证x研究所20221-9o份，全球ð能源汽车销量Þ创ð高，达726万辆，`比增长67.56%2w中欧洲销166万辆，`比增长6.68%Ā美ÿ销量快ð升，达72万辆，`比增长59.67%Ā中ÿð能源汽车销量继续跑全球，销量达到400多万辆，`比增长110%2全球ð能源汽车累«销量突破2500万辆220221-12o份，中ÿð能源汽车销量r«688.7万辆，`比2021增à1倍2ÿÉ，s使P半疫情影响带来的供à链中断1ú力电P游原材料涨ÿ以Û多数汽车芯w依然紧缺的形势Q，ð能源汽车销`场热情O减2如比Þï增长最~显著，全累«销186.85万辆，`比增长152.5%，w中纯电车型销量突破91.1万辆2车载ß率半ü体稳健发展，离O开高压Āà用的ûè2整车ú力电电压Āp望将渐ÐĀp的400V升ÿ到800V系统，以满足í¾者ü电ú汽车的长续航1快充电等期à，而à将üß率半ü体的性能参数ðû了更高的要求，中高压ß率器þ如SJĀ表20ÿ20221-9o，全球各ÿð能源汽车销量Ā表21ÿ2013-2022中ÿð能源汽车销量ÿ万辆Ā数据来源ÿ中ÿ汽车论`，_福证x研究所数据来源ÿ中汽`，_福证x研究所_福证x研究所丨øaĀ诚信_业发Āÿ值14ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子MOSFET1IGBT和碳化硅MOSFET将b在车端大量à用，wW车ÿ值量p望继续ð升2据半ü体行业纵横数据，混ú和纯电ú汽车Pß率半ü体ÿ值量V别占W车半ü体总ÿ值的40%和55%2据英飞凌统«数据，纯电ú汽车半ü体ÿ值量预估在1000美元þô，而ß率半ü体达550-600美元þô2而车载ß率半ü体中最x代表的sIGBT和MOSFET2Ā表22ÿ全球Û中ÿ部V800V系统车型ÛP`时间数据来源ÿR思汽研，_福证x研究所车规ß率半ü体需求强ô，电ú化P高压化是n大Þ要èú力2着汽车电ú化1高压化n渗，ß率半ü体在电ú汽车PW车ÿ值量p望ß一nð高2➢在传统燃油车P，W车ß率半ü体ÿ值量在71美元þô2`要以中1P压MOSFETà用~，比如在车门1车ÿ1ÿ椅调节1b视镜1仪表1影音1HUD1自ú启停1雨w1天ÿ1转向ECU1vúECU1á全气囊1空调电ú水泵1ÿ舱仪表灯1前b视大灯驱ú等îÛ电机等à用场o大量使用2MOSFETW车用量超1002比如W个转向ECU中使用数量达82均Wÿ2-10元人民_O等2Ā表23ÿ汽车EPSçv器硬þ方案数据来源ÿ英飞凌，_福证x研究所丨øaĀ诚信_业发Āÿ值15ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子➢电ú汽车包括纯电ú，插电混ú，混úÿ中混和强混Ā等2在m类汽车P，电机驱ú1照明1热管理1电ú汽车驱逆Ù器1DC/DC1升压器和OBCÿ车载充电器Ā等ï品将依据各自的ý作ß率大小，选择O`的ß率半ü体器þ2高1中1P压硅ĀMOSFET1IGBT和SiCMOSFET均p广泛使用2Ā表24ÿß率半ü体在电ú汽车P的à用数据来源ÿYole，英飞凌，_福证x研究所þvO`类型的ß率半ü体V立器þ和模块，在汽车P都能~到à用的落脚点2车载ß率半ü体种类多，在做选型时，rq和效率是最s键的n大要素2首Y需要考虑需要多大ß率，Þ去{配多大的电压和电流，Þ结\系统效率和rq最终设«û一套最`方案2ß率半ü体V立器þ和模块据在车PO`的系统à用，则选用O`规格的器þ2由mÿÉ，ß率半ü体在电ú汽车Pà用场o非常广泛2O`种类，O`规格的ï品都能{配到O`的系统à用2电ú汽车销量稳健增长，最Y获益的p望是`前x代表性的ß率半ü体——硅ĀMOSFET1IGBT以Û碳化硅22.2à快ï品开发验证，Þ塑车规竞Ï格局海外厂家依然是供¯体，q土企业份额p望持续扩大2由于车规芯wüÿ靠性1á全性1试验等要求相ü苛刻，`汽车行业供à链相ü封ý，车规ß率半ü体ÿï化率一直以来比较P2欧1美1日等地的厂家凭借多的术ÿ累和Yß的v能力等占据着`场ü地O2据Omdia数据，英飞凌和á森美稳居全球ß率半ü体销额第一和第Ð的O置，而wb排a相üú态2日q在全球ß率半ü体前十的榜W中占据五席，à力非常强ô2á世半ü体是ÿ内~数O多的被列入全球第一ï队的ß率半ü体厂家，2021排a第{，相比2019P升一a2Ā表25ÿ全球前十大ß率半ü体厂商排aÿ亿元，人民_P美元汇率按7«算Ā丨øaĀ诚信_业发Āÿ值16ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿOmdia，芯智°，_福证x研究所➢英飞凌——全球ß率半ü体龙头2英飞凌引全球ß率半ü体`场，wß率半ü体û¯量占全球总`场à40%，已经ß续多居首O2ÿ内多数车厂都采用英飞凌方案，特别是用于驱逆Ù器Ý的IGBTW管和模块2`时也pO少做模块封装的厂家Ð英飞凌采购晶圆2英飞凌在车载IGBTï品P×得的Oôr绩离O开w多持续的研发投入1术创ð1战略投资和并购1P供à链PQ游深þ\作以Û超前的战略眼Z和ü`场o来发展势的精准预判2Ā表26ÿ英飞凌¯á数据数据来源ÿ英飞凌，_福证x研究所➢á森美——稳坐ß率半ü体第Ð把交椅2ß率半ü体一直占据á森美总营收的半壁山2汽车~á森美最大营收来源，2022第四季þ汽车收入达9.89亿美元，占总营收的47.01%，`比增长54%，创Qð±录2Ā表27ÿá森美¯á数据丨øaĀ诚信_业发Āÿ值17ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿÿ×电子商情，á森美，_福证x研究所美欧日等ÿß率半ü体企业x备术1ï能1体系1人才和管理等_多`势，`场地O依然稳固2而中ÿ作~全球最大ß率半ü体í¾`场，à来发展势头ï好2截k20224o份，相s企业超300家，ï业链a局完整，w中OO一ß术à力深厚的IDM1Foundry和Fabless企业2Ā表28ÿ中ÿß率半ü体ï业链数据来源ÿ中商ï业研究院，盖世汽车，_福证x研究所以á世半ü体1比Þï半ü体1ï达半ü1中车时代电气和士q微等~代表的ß率半ü体企业，在术沉淀1车规认证1vý艺1试验测试1术支持1体系搭建1P车批量验证1þ解ô以Ûï能ð升和人才ÿ{方面都ÿ累了ß贵经验2Ā表29ÿ中ÿß率半ü体代表企业销额ÿ亿元Ā丨øaĀ诚信_业发Āÿ值18ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿð洁能官网，ittbank，_福证x研究所在车规ß率半ü体中，MOSFET和IGBT最x代表性2➢车规MOSFETÿ车规MOSFETO论在燃油车Pß是电ú车P，à用非常广泛，`MOSFETï品要被海外企业垄断2自2020以来，海外头部供à商都相继面临ï能紧张1涨ÿ和断供等þ2m时，ü于一直在等候t缺O\适契机ß入车载域的q土厂商来说，l是W入汽车供à链的ÿ佳时机2经过n的蓄势，ÿ内部V相s企业在P车批量供¯的`时，`n在à快ð的车规MOSFET的研发和验证2P压MOS——要以40V，60V，100VPlanar面型1Trench沟槽型和SGT屏蔽栅MOSFET~2因~W车用量大1à用场o多`复g，自2021以来，`场缺¯oÞ2中压SGTMOSFETÿ车规ÿSGTMOSFETý作电压范围通常在30V-250V之间的MOSFETï品，w中中压ÿ100V-250VĀ一般并联多个MOSFETW管用于A00ÿ小型电ú汽车或中混车辆ÿú力电电压在200VPQĀ的驱逆Ù器1OBC1DC/DC1空调压缩机等ö部þ`中Ā到逆Ù1整流等作用2高压SJMOSFET，车规ÿSJMOSFETý作电压通常在650V-900V，要用于`前广泛搭载的400Vú力电Ā汽车的驱逆Ù器1OBC1DCDC和PTC等ï品P2➢车规IGBTÿIGBT通常V~W管1模块和IPM模块2全球车载IGBT和MOSFET一，要被美欧日等ÿ家的厂家垄断2如英飞凌1á森美1富士电机1Oó电机和赛米ç等2w中，英飞凌占据车规IGBT要`场份额，英飞凌最早在2007èû车规ÿIGBT模块——HybridPACK系列2在ÿ内`场，比Þï1ï达半丨øaĀ诚信_业发Āÿ值19ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子ü和时代电气稳居前十2Ā表30ÿ2020全球ß率半ü体厂家IGBTW管1IPM1模块排a数据来源ÿ}棱镜数_科创，英飞凌，_福证x研究所þvIGBT已发展ó第七代，英飞凌作~IGBT龙头，w术早在2018已经迭代ó第七代2第五1}1七代均是在第四代术Ā础P针ü大ß率1高开s频率等需求ß行的设«`化2O`代差üàO`的器þ设«，也üà着O`的器þ性能和à用场o2目前ÿ内多数厂家已经发展到了等`英飞凌的第四代和第五代术，而第四1五代IGBT也l好是目前车规IGBTà用的流术2Ā表31ÿIGBT术迭代数据来源ÿ智研咨询，EETOP，中慧智ß，_福证x研究所ß率半ü体器þ或模块是电机çv器的心脏2电机çv器1电机和减器一Ā组r电ú汽车的电力驱ú总r2w中，电机çv器是ß率半ü体器þ和模块的Þ要à用域，w要用途是将ú力电输û的直流电转换r驱ú电机所需要的O相交流电2电机çv器由ß率半ü体器þ或模块1电容1驱ú电路板和çv电路板等ö部þ组r2w中ß率半ü体器þ或模块占总rq的37%þô，是电机çv器最~心的ö部þ之一2Ā表32ÿ电驱ú总r示意Ā和电机çv器rqV解丨øaĀ诚信_业发Āÿ值20ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿRIO电驱ú，_福证x研究所由于电机çv器是ß能á全þ，通常í¾ÿ或ý规ÿ的ß率半ü体器þ和模块O满足P车条þ2因m长期以来，电机çv器中的ß率半ü体器þ和模块一直依赖ß口2à来，电机çv器格局发生Ù化，q土电机çv器厂家`场份额快增长，à让ÿïß率半ü体拥p更多验证和P车机b，ÿïß率半ü体`场份额将p望ß一n扩大22022Q1，ï达半ü1比Þï半ü体和时代电气`占率V别稳居ÿ内`场第Ð1第O和第五，V别占比16.4%114.5%和9%2Ā表33ÿ2022Q1中ÿð能源汽车ß率模块`场竞Ï格局数据来源ÿ智研咨询，_福证x研究所q土电机çv器厂商引`场，ü车载ß率半ü体竞Ï格局p着ÿ极影响22022，排a前20的电ç厂家中，q土厂家占据12席2包括5家整车厂自v企业19家q土第O方非自v企业ÿ包括联\电子Ā以Û6家海外厂家ÿ包括日q的电装1电ï1Oó1日立等四家1法ÿ法÷奥和美ÿ博格_纳Ā2包括整车企业在内ÿ除特ï拉外Ā，总rp14家q土企业入围前20，占比7r2Ā表34ÿ2022xEV电ç供à商供¯量Vaÿ万套Ā丨øaĀ诚信_业发Āÿ值21ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿNE时代ÿ曲线代表`场集中þ累«比例Ā，_福证x研究所ÿï电ç引`场，p望û力ÿïß率半ü体P车2目前ÿ内电çï品竞Ï相ü充V，`由q土厂家引2而ÿ内企业在电ç`场P份额的ð升，则p望û力ÿïß率半ü体P车2原因如Qÿ1Ā供à链á全考虑ÿ`ß率半ü体缺¯时，~保证供à链á全，车厂通常采×一品多点采购战略，s一个电çï品，多家ß率半ü体供à商按照P车厂þ定好的份额供¯2ü车厂而言，ÿïß率半ü体通常是m时的选ù之一Ā2Ā电ç厂家rqçv需要ÿÿïß率半ü体rq相比ß口器þx备一定`势2特别是A00ÿ和A0ÿà类电ú车，wü整车rqçv要求相ü较高，ÿïß率半ü体à用较~广泛2ÿ内电ç厂家在面临海外竞Ï者压力的时候，rq是w心`势之一2ß率半ü体作~电ç中占比最高的心器þ，ÿ内电ç厂家在获×整车厂ù目的时候，通常也b偏爱选用`xprq`势的ÿïß率半ü体23Ā多数ÿ内车厂和电ç厂家à强和ÿ内ß率半ü体厂家\作，通过投资或战略\作或r立\资ø的方式，形r`势à补，r`开发ß率半ü体ï品2à将üÿïß率半ü体P车à用Ā着很强èú作用2Ā表35ÿ2022中ÿ纯电ú汽车电机çv器Pß率模块供à链s系丨øaĀ诚信_业发Āÿ值22ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿNE时代ÿ绿色粗线代表ÿïß率半ü体Ā，_福证x研究所缺芯缓解过b，ß率半ü体的<术和rq=或r心线2着缺芯缓解，海外头部厂家ï能恢复，ÿ内厂家或面临一定程þP的`场竞Ï2如何突破Þ围，长期来看，术ð升和持续rq`化，以Ûà快车规ï品研发和验证þ，将pû于Þ塑`场格局，à将r~ÿ内厂家ÿ持续发展的n条心线22.3车规器þ壁垒ÞÞ，ÿï龙头曙Z破晓在电ú汽车销量快增长和缺芯的大背oQ，ÿ内ß率半ü体厂家趁势在P车验证和批量供¯P×得Oôr绩2但由于ÿ内车载ß率半ü体发展Ān较晚1器þ开发经验O足1P车验证机bO多和ÿ靠性要求高等原因，在<以QĀ多方面=P全球第一ï队的车规ß率半ü体企业尚`差距，à也l是车规ß率半ü体壁垒所在2Ā多壁垒呈Ā复g性1多性1综\性以Ûn遍性等特点2设«和vý艺2车规ß率半ü体的设«和vý艺相ür熟，结构相ü简W，üý艺v程要求O高ÿ通常大于90nmĀ2车规ß率半ü体Pw他芯w比较，结构和vý艺p一定差别，`渐融\更多的特色ý艺ÿ微沟槽1深沟槽和屏蔽栅等Ā2车规ß率半ü体在芯w面ÿ1线宽1通态饱和压降1s断时间1ß率损耗和封装等方面在持续做设«和ý艺`化，以达到大电流1高电压1P损耗1高开s频率1鲁棒性1散热快等性能目标2Ā表36ÿß率半ü体器þ术发展势丨øaĀ诚信_业发Āÿ值23ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿYole，_福证x研究所目前全球车规ÿß率半ü体器þ设«1vý艺和封装测试等要由英飞凌等海外厂商引2Ā表37ÿß率半ü体vý艺数据来源ÿ_润微12_晶圆厂生ï线ÿ评ç告，_福证x研究所➢器þ设«ÿß率半ü体自à生以来，Ð半ü体Ā材的迭代1微沟槽结构的`化1Yß封装1大尺û晶圆的à用等多个方面ß行术创ð2据Yole数据，ß率半ü体器þ每隔Ð十将ß行一次ï品迭代2相比w他半ü体，迭代周期相ü慢，à将ÿÿ内ß率半ü体厂家留p充足的发展时间2目前ÿ内厂商面临的挑战要包括ÿ1ĀPß耗P高ÿ靠性以Û高ß率密þO者的衡Ā2Ā满足高性能和小型化以ÛPrqO者的衡Ā3Āï品Ā化和客户定v要求之间的ó突和衡Ā6Ā车规ï品设«1v等管理体系和流程O健全Ā丨øaĀ诚信_业发Āÿ值24ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子Ā表38ÿß率半ü体术迭代路线数据来源ÿYole，_福证x研究所➢晶圆vý艺ÿà方面的挑战pÿ1Ā半ü体设备长期依赖ß口，采购周期长`rq高，设备调试时间长，缺O经验Ā2Ā生ï过程管ç以达到晶圆一ô性和ÿ靠性的目的Ā3Ā适用于车规的材料选型，以达到散热1高结温要求Ā4Ā小尺û1Yß封装Prq之间的ó突等2➢封装测试ÿà方面的挑战pÿ1Ā封装ÿ节，键\引线1模x1框架等材料的选择Ā2Āß率半ü体模组的散热þ和ÿ靠性n者的衡Ā2Ā缺O车规试验条þ或测试经验，x体试验参数如何设定没p经验2SJMOSFET1IGBT1碳化硅MOSFET作~中高端ß率半ü体器þ，ÿ内厂家在器þ设«1晶圆vý艺和封测ÿ节都面临O`程þP的挑战和壁垒2ü于追ÿ者的ÿïß率半ü体厂家而言，术作~发展的第一要素，术持续迭代和术方案的创ð或是超ÿ×巨头1ü`场地O的最Þ要条þ之一2Ā表39ÿß率半ü体术挑战和解ô方案数据来源ÿYole，_福证x研究所丨øaĀ诚信_业发Āÿ值25ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子°量管理体系2车规ß率半ü体相比í¾和ý业ï品，üÿ靠性1°量一ô性1ÿ境ÿ耐久1高P温Ā1供¯周期以Û验证试验等要求更高2需要o格遵à车规芯w开发流程1°量管理体系1验证要求等ß行以确保车辆行驶á全2车载ß率半ü体Pw他车规芯w一，Ð芯w定义1设«1原材料采购1供à商管理1生ïv过程1小批量和批量供¯以Ûb等，都需要o格按照AECQ-100试验要求和IATF16949生ïv过程中的要求执行2ü于驱逆Ù器中的ß率半ü体W管或模块，甚ó要求按照ISO26262ü系统和流程体系ß行ß能á全认证2比如，在车规IGBT模块的á全性方面，IGBT模块通常由多个IGBTW管1SBD以Û散热板等结构组r2IGBTW管由rP千个IGBT元胞构r2IGBT模块à×P车b，若w中一个元胞ûĀ°量þ，则将直接tÛ整车á全2ÿ内ÐÏ车载ß率半ü体开发和生ïv的厂商，xp数量多1Va地域广1ï品种类多1术能力水参差O齐等特点2除了少数几家头部厂家外，车载域Ān相ü晚，ÐÏ车规ï品开发累«时间O长2ü车规ï品°量管理体系认知Ïpàð高，需要o来更长时间P车à践以ð升2Ā表40ÿ汽车°量认证体系数据来源ÿ:ð一代汽车供à链痛点研究;，_福证x研究所P车机b2传统燃油车时代，汽车销量和心ö部þ术均由头部车厂和供à商把握，海外整车厂和头部Tier1ß语h大，故汽车供à链相ü封ý，ð玩家ß入大厂供à链体系相ü困难2ÿ内车规ß率半ü体厂家Ān晚1术经验少1ü车规ï品认知缺O2由于缺O批量P车验证机b2s使部Vp很强研发à力的企业，`缺O批量供¯1验证ï品长期ÿ靠性的机b，Ð而术能力一直处在ßn缓慢的Ā境2`高投入和长期P回çüô部V厂家信心O足甚ó`车载ï品的开发2在m背oQ，s形r了üÿ内ß率半ü体玩家极~OÜ好的恶性循ÿ2ð能源汽车的快P量以Û疫情以来的汽车缺芯，特别是特ï拉以Ûÿ内的车ð势力们，打破了汽车供à链封ý的外墙，愿意尝试多条腿走路，àÿÎ了ÿ内包括车载ß率半ü体厂家在内的汽车ö部þ供à商们充足的P车机b，也增强了ÿïÿ代的确定性，ÿï车规ß率半ü体p望迎来份额ß一nð升的机b2Ā表41ÿ汽车供à链P1Q游格局在渐演Ù丨øaĀ诚信_业发Āÿ值26ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿ网þĀw，_福证x研究所rq2在汽车客户面临器þ选型时，rq将是一ùÞ要考量的点，`满足客户需求的ï品，V别来自海外厂家和ÿ内厂家，在O缺芯和没pÿïÿ代要求Q，通常客户ÿ能考虑定点ÿÿ`者2车规ß率半ü体和w他ÿï芯w类似，因~Ān晚1经验缺O1ï业链相üOr熟等特点，研发rqÿ人ý1IP1ðþ和ýx链等Ā摊销相ü较高1心原材料依赖ß口ÿ框架1模x1引线键\相sý艺等Ā1ý艺相üOr熟1ï率相üO高1规模化效à相üO突û1车规器þ试验经验相ü缺O以Û固定资ï尚处在摊销初期等，而P述或是r器þrq相ü较高的要因素2Ā表42ÿß率半ü体器þrq结构数据来源ÿSYSTEMPlus，_福证x研究所半ü体Ð业人才2截k2020，ÿ内半ü体Ð业人员人数þ54.1万，`比增长5.7%2预«到2023，人才需求将达76.7万人，人才缺口将à23万人2依前文所述，ß率半ü体已超300多家2需求旺盛背b也藏着行业ü_业人才的求±若渴2人才竞Ï也`是半ü体企业间à力竞Ï的Þ要组r部V2r熟1经验丰富的丨øaĀ诚信_业发Āÿ值27ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子人才队伍是行业发展Ā石2Ā表43ÿ半ü体Ð业人员数量增长势Û各相s岗O占比数据来源ÿ猎聘，_福证x研究所3.供à链á全ð在眉睫，ÿï厂商乘势而P20233o3日，美ÿ商á部将28家中ÿà体à入<ELÿEntityList，à体清WĀ=2自2018中t和_~相继被v裁以来，美ÿü中ÿ企业和科研机构等à施多次½易限v和打压，目标直指多家半ü体相s企业23.1地缘治+芯w短缺，ï业û求破局之道2020以来，在多Þ因素影响Q，汽车芯w面临大缺¯2芯w供求O衡üô芯w期¯交期延b，ÿ格涨ÿ，Ā¯ÿ格更是一路高走2óÎ，汽车缺芯虽然已p所缓解，但依然ß`在部V芯w供à紧张状况2长á汽车ü层就þ开表示，因缺芯等因素影响，2022前O季þ，已经减ï60.6万辆2据AFS预测数据，2022因缺芯ô汽车减ï预«达450万辆，而2021à一数据是1050万辆2Ā表44ÿ2021-2022汽车缺芯ü全球汽车ï量影响ÿ万辆Ā数据来源ÿAFS，汽配圈，_福证x研究所丨øaĀ诚信_业发Āÿ值28ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子半ü体ï业链全球化Ø阻2长期以来，半ü体行业高þ依赖全球化ï业链的``，mVý明确，Ð设«1v1封装1设备1材料1ðþ等全球通力\作，得以r就全球半ü体ï业硕果2但是，à来ÿ×局势已经á改Ù了半ü体v商面临的处境，全球化和自由½易Ù得举n维ð2ÿïÿ代，ß率半ü体Y行2在缺芯之Q，ß率半ü体因~需求大1术门槛相ü较P1ÿ内ï业链Ā础好，`在í¾和ý业等p多数ï品量ï和à用，将p望r~最Y被ÿï化的域之一2Ā表45ÿ2018-2021部V企业中ÿß率半ü体ï品销量数据来源ÿøç，前瞻经济学人APP，_福证x研究所ÿï芯wï量增à，ÿïÿ代内部驱ú力增强2据ÿ家统«局数据，2021中ÿ集r电路累«ï量达3594亿块，`比增长37.48%2Ð2011óÎ的ÿ内集r电路ï量数据ÿ以看û，面ü日益增长的`场需求，ÿ内集r电路行业发展稳健，ï量ð高2Ā表46ÿ2011-2021中ÿ集r电路ï量ÿ亿Ā丨øaĀ诚信_业发Āÿ值29ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿÿ家统«局，智研咨询，_福证x研究所3.2IDMÛFabless齐发力，ÿïÿ代稳n前行汽车Ø智能化1电ú化1网联化和ðþ化等ï业势驱ú2芯w作~智能硬þ和ðþ的Ā石和载体，wÞ要性O言而喻2ß率半ü体在汽车电子中ÿ值量高，`ï业链相ü完整，x备ÿïÿ代的Āà意义和ÿ操作性23.2.1车企投资O断，IDM和Fabless齐头并ß`Q，车规ß率半ü体已然r~车企Þ点a局和投资热门域之一2车载芯w种类多1型÷多1持续<缺芯=和车厂Þ要çv器自研，使得车厂开始建立çv器硬þ设«和供à链部门2车厂将直接参P芯w选型，直接建立P芯w厂家沟通n道，打破原p供à链的\作模式2车厂和Tier1都在开始往半ü体设«和v域Q沉，通过投资或P芯w企业r立\资的形式ß入半ü体行业2他们要聚焦Þ要1ÿ值高的车规ÿ芯w并ß行a局，P芯w企业r`\作开发，化被ú~ú，以àü将来ÿ能b面临的汽车芯w供à链á全þ2而w中ß率半ü体，特别是IGBT和SiC，r~车企投资热门之一2Ā表47ÿ部V车企a局芯wï业丨øaĀ诚信_业发Āÿ值30ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿ行家说Research，爱集微，_福证x研究所IDM和Fabless各显w能2在ß率半ü体设«vÿ节，目前要pIDM模式和垂直Vý模式，n方竞Ï力孰强孰弱尚oV明，都在发挥各自`势2IDM在缺芯时，ÿ以灵活`调ï能以满足O`客户需求2在ï品迭代P，IDM也x`势2而代ý模式Q，设«ø和Foundryÿ以r`\作开发Yßý艺以ð升ï品竞Ï力2Ā表48ÿ中ÿß率半ü体ï业链Vý数据来源ÿYole，_福证x研究所IDM模式一般Þ资ï，ý厂投入相ü较大，üï能规划要求相ü精准ÿç，ü各类_业人才需求大，在ï能``1rqçv1需求响àþ等多方面或xp较强`势2丨øaĀ诚信_业发Āÿ值31ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子ÿ内ß率半ü体IDMp时代电气1_润微1士q微1_微以Ûl杰科等2ÿ内部VFabless选择P头部Foundry深þ\作，在ï品设«1ý艺融\`化1ï品规划1ï能调配等方面能达到ï好效果2`该模式Q，n方既p各自Vý\作，又能做到`势à补2设«øÿ以_注于ï品设«Pè广1ÿ以更精准把握`场需求和供à节奏，而Foundryÿ以_注于ý艺çv和`化2ÿ内rß案例如ð洁能P_虹宏力的\作1捷捷微电P中芯绍t的\作2Ā表49ÿIDM1Fabless和Foundry模式比较数据来源ÿ西Y智，_福证x研究所目前，全球ß率半ü体`场P，头部的ß率半ü体多数是<IDM模式=或<IDMà委外代ý混\模式=2b者s部VIDM将部VP端v程1s将EOPÿEndOfProductionĀ的ï品委外_业代ý厂àý，比如ÿ内部V晶圆代ý企业就接到O少m类海外客户的¬W2据ittbank数据统«ÿ中ÿ大Ø地Top60的ß率半ü体ÿO含ß率ICĀ企业Ý，w中IDMp43家，Foundryp5家，以Û12家Fabless2Ā表50ÿ中ÿTop60ß率半ü体厂家中IDM1Foundry1Fabless数量数据来源ÿ深圳`电子商b，ittbank，_福证x研究所3.2.2W车ÿ值a列前茅，<ÿïÿ代=率Y突围据英飞凌统«，在传统燃油车P，MCU是w中ÿ值量最高的半ü体器þ，占比þ30%，ß率半ü体ÿ包括ß率半ü体器þ和ß率半ü体芯wĀ占比20%2而ü于丨øaĀ诚信_业发Āÿ值32ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子电ú汽车来说，MCU和ß率的ÿ值占比p所Ù化2细V来看，混ú车型和纯电ú车型，ß率半ü体用量和ÿ值`在差_2混ú又V轻中混1强混和插混，纯电ú也要看ú力电电压Ā，200V和800Vü选用的ß率半ü体V立器þ和模块差_较大，rq也`在差_2Ð英飞凌数据看û，中混电ú汽车ÿMHEVĀW车ß率半ü体ÿ值150-200美元，自ú充电混ú汽车ÿFHEVĀW车ß率半ü体ÿ值在400-470美元，纯电ú汽车ÿBEVĀW车ß率半ü体ÿ值在550-600美元2ÿÉ在各类电ú汽车P，ß率半ü体ÿ值量高居榜首2Ā表51ÿ燃油车P各类电ú汽车芯wÿ值组r数据来源ÿ搜狐，芝能汽车，英飞凌，_福证x研究所在sÿ大力发展ð能源汽车的`Q，车规ÿß率半ü体x备策支持1ï业链完整等`势，或将率Y突围，àĀÿï化率稳nð升24.碳化硅器þ厚ÿ薄发，ï业a局多点开花4.1ð材料1ð机遇1ð势作~第O代半ü体材料的代表，相较于硅，碳化硅xp禁带宽þ更大ÿ是硅的3倍Ā1热ü率更高ÿ是硅的4-5倍Ā1ü穿电压更大ÿ是硅的8-10倍Ā等`势2Ā表52ÿ碳化硅性能`势丨øaĀ诚信_业发Āÿ值33ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿ英飞凌，_福证x研究所碳化硅ß率器þ要包括碳化硅Ð极管ÿ要是肖特Ā势垒Ð极管SBD等Ā1碳化硅晶体管ÿ要是碳化硅BJT1MOSFET等Ā以Û碳化硅ß率模块等2碳化硅ß率器þxp耐高压1大电流1耐高温1高频1高ß率和P损耗等_多`点，广泛à用于电ú汽车Û充电桩1Z伏1电网1轨道交通和储能等域2Ā表53ÿ常Éß率半ü体比较数据来源ÿYole，_福证x研究所据Yole数据，碳化硅ß率器þ2021全球`场规模10.9亿美金2预«到2027将达到62.97亿美金，2021-2027CAGR达34%2发展势头强ô，o来`场空间ÿÊ2Ā表54ÿ碳化硅ß率半ü体器þ`场规模预测2021-2027E丨øaĀ诚信_业发Āÿ值34ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿYole，_福证x研究所全球各ÿü碳化硅投资热þO减，目前碳化硅器þ`场龙头依然以海外企业~，ÿ内90%需求依赖ß口2sÿ碳化硅ï业链a局相ü完整，部V头部企业术à力Oÿ小觑，在半ÿ缘衬á1外延w1射频器þ和碳化硅器þ均已量ï并批量供¯2Ā表55ÿ全球碳化硅ß率器þ各厂家2020-2021E营收ÿ万美元Ā数据来源ÿYole，_福证x研究所碳化硅性能`于IGBT，n者在多个域或`在à用Þ叠2ÐrqÙ化和晶圆尺û发展势V析ÿ碳化硅PIGBTrq比较2目前碳化硅ß率器þ由于术和ý艺尚Or熟1衬áï率P以Û尚o规模化à用等因素，üô`前碳化硅rq居高OQ2`等规格1满足`个终端à用需求的碳化硅MOSFET的ÿ格是IGBT的2.5-3倍2而硅ĀIGBT术r熟，规模化效à已经显Ā，rqQ探空间p限2着P述ü碳化硅rqO利因素日渐改善，wÿ格p望Q调2ü于长续航电ú汽车，`前碳化硅ß率器þ的à用带来的w他周边ö部þ的降q，或将ß一n缩小1或打P选用IGBT带来的ÿ格差2Ā表56ÿ碳化硅ß率半ü体器þrqÙ化势丨øaĀ诚信_业发Āÿ值35ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿNE时代，_福证x研究所碳化硅晶圆v2目前已量ï碳化硅衬á多是Ā于2英û14英û和6英û晶圆v，w中6英û渐将r~流2据NE时代数据，á森美8英û衬á于2021已经投ï2o来，着8英û晶圆的衬án量ï，Ww晶圆ï量ð升，相比4英û和6英û晶圆，理论P碳化硅器þÿ格或将bp所Q调2Ā表57ÿ全球Û中ÿ碳化硅企业ï品a局ÿ部VĀ数据来源ÿNE时代，_福证x研究所`前碳化硅MOSFET要à用于一ß中高端场o，àßà用往往追求更高的性能表Ā2如ÿ30万以P的中高端智能电ú汽车，wü续航1瞬间à以Û充电时间p着更高要求，通常w逆Ù器中b采用碳化硅方案2短时间内，IGBT或依然是`场流2长期来看，碳化硅MOSFET和IGBT`场需求或达到一个相ü衡，n者将r`以供O`à用场o所使用24.2衬á和外延占据ÿ值高地丨øaĀ诚信_业发Āÿ值36ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子碳化硅ï业链相ü复g，要包括衬á1外延1器þ设«1晶圆v以Û封装测试和终端à用等2Ā表58ÿ碳化硅ß率器þPQ游ï业链数据来源ÿYole，中商ï业研究院，_福证x研究所截ó2021，ÿ内碳化硅ï线已经投入超20条，ï业链P1Q游都p相s企业参P2w中衬á代表企业p天岳Yß1天科\达等Ā外延w代表企业p东莞天域半ü体1瀚天天r等Āa局碳化硅器þ的企业以IDM~，也p少数几家Foundry，ßp多数设«ø2Ā表59ÿÿ内碳化硅ß率器þï线规划和要参P企业数据来源ÿ前瞻经济学人，_福证x研究所衬á和外延占据碳化硅器þ的ÿ值高地，`在较高术壁垒2据o来智ß数据，衬á和外延占碳化硅器þ总rqà70%ÿw中衬á占46%，外延占23%Ā2n者`~碳化硅器þ最心1也是最x瓶的n道vý艺ÿ节2衬á和外延的术ð升快慢和ï率高P都将ü碳化硅器þ的à用和è广ï生直接影响2➢衬á是碳化硅器þ的第一内2据Yole数据，预«到2027，全球à用于电ú汽车和充电桩的碳化硅衬á数量将达到140万w，占`场总量的78.23%2丨øaĀ诚信_业发Āÿ值37ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子Ā表60ÿ碳化硅衬á在电ú汽车à用需求预测数据来源ÿYole，_福证x研究所碳化硅衬áV类——碳化硅衬á按照电阻率大小，碳化硅ÿ以V~ü电型和半ÿ缘型2ü电型衬á常用于v作碳化硅ß率器þ，à用于电ú汽车1Z伏1储能等域2而半ÿ缘型碳化硅衬á则被常用于v作氮化镓微波射频器þ和ß率大器等ÿGaN-on-SiCĀ，à用于5G通信等2目前ü电型衬á`场依然由欧1美1日企业ü，美ÿWolfspeed占全球份额超60%以P，w他如美ÿ高意集团ÿII-VIĀ1德ÿSiCrystalAGÿ被日qRohm收购Ā1美ÿDowCorning和日qð日铁Q金等紧wb，`占率O居前列2ÿ内做ü电型衬áĀn较晚，整体发展处于初期阶段，该域ÿ内要企业p天科\达1天岳Yß等2ÿï厂家在半ÿ缘型衬áï品开发相üĀn较早，p一定经验ÿ累22020，天岳Yß的半ÿ缘型碳化硅衬á在全球`占率已高达30%，O居全球第O，仅次于海外龙头企业II-VI和Wolfspeed，形rO足鼎立的局面2Ā表61ÿ2020全球碳化硅衬á`场格局数据来源ÿYole，Wolfspeed，中商情ç网，TrendBank，_福证x研究所衬áv作方法——衬á的形r通常使用物理气相传输法，在高温Qÿ＞丨øaĀ诚信_业发Āÿ值38ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子2000℃Ā，碳化硅粉体V解r硅原子等气相物°，在高P温形r的温þïþQ，气相物°慢慢在P温的碳化硅籽晶表面生长形r碳化硅晶体2Þ通过定向1整形1Ww1研磨1抛Z1检测和清洗等ý艺过程，最bvr碳化硅衬á2v作`ï的碳化硅衬á，`在较高的术壁垒2碳化硅衬á生长难þ大，üý艺çv和衬á的厚þ1翘曲þ和弯曲þ都p较高要求2wv备过程中，要`在以Q难点和壁垒ÿ1Ā碳化硅粉体纯þçv要求高，碳和硅的比例çv要精准Ā2Ā温þ要求高，高温PP温需çv精准Ā3Ā长晶时，生长率等需要o格çvĀ4Ā衬á生长~物理时间，`很难à，时间rq高，ï能因mØ限Ā5Ā碳化硅硬þ强，Ww时损耗高，ïûPĀ6ĀîÛ设备种类多1要求高，如长晶炉，Ww机1研磨机1抛Z机和清洗设备等，总投入大2以P_多壁垒üô目前碳化硅ï率较P，Wwÿ格较高2➢外延ý艺是碳化硅器þ的第Ð内2由于碳化硅衬á表面或多或少因~生长过程或àý过程中引入微粒，直接Ā于w表面ß行晶圆v，或将üô最终器þï率P1性能差等b果2故通常引入外延ý艺，s在衬á表面通过化学气相沉ÿÿCVDĀ生长û一层4H-SiCW晶薄膜以ð高器þï率和性能，à一层W晶材料sĀ~<外延=2在v作过程中，ý艺çvOïb直接r各类缺陷ï生而影响ï率和ïû2据Yole数据，预«到2027，碳化硅外延w全球`场规模将达8.51亿美元，2021到2027，CAGR~28%2全球外延w`场要被美ÿWolfspeed和日q昭和电ý是碳化硅外延wn家龙头企业垄断2w他厂家pII-VI1Cree1Norstel1Rohm和英飞凌等2ÿ内ÐÏ碳化硅外延w企业要p瀚天天r1东莞天域1中电55所和OáZ电等2Ā表62ÿ碳化硅外延w`场预测ÿ万美金Ā数据来源ÿYole，_福证x研究所4.3碳化硅àP车，缓解Ý程焦虑丨øaĀ诚信_业发Āÿ值39ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子据Yole数据，电ú汽车和汽车充电桩~碳化硅第一大à用`场2预«到2027，碳化硅器þ在电ú汽车和汽车充电桩Pà用，全球`场规模将V别达49.86亿美金和1.35亿美金，n者之和占`场总规模的81.32%2碳化硅SBD和碳化硅MOSFETÿà用于电ú汽车驱逆Ù器1OBC1DC/DC以Û充电桩等ï品中2自2019Tesla首次将碳化硅器þÿ供à商ÿSTMĀà用于wModel3车型P，碳化硅便l式开启了P车之路2自2021以来，ÿ内自品牌车企纷纷在wð车型Pà用碳化硅器þ，如蔚来汽车ET5和ET7ÿ驱，自研模块，晶圆Ðá森美采购Ā，]利SMART精灵(驱，供à商ÿ芯聚能)1小鹏G9ÿ驱，供à商ÿ英飞凌Ā1比Þï海豹ÿ驱，自研自ï模块，部V晶圆外购Ā等2Ā表63ÿ企业间\作于多化数据来源ÿYole，_福证x研究所碳化硅将ð升电ú汽车续航能力和缩短电ú汽车充电时间2相较于燃油车，电ú汽车í¾者ü`前p限的续航Ý程和相ü漫长的充电时间常常感到焦虑2虽然车企在ú力电1BMS1电机1电ç和OBC等ï品术P做了很多`化和ð升，但相比燃油车，续航Ý程Ø限和充电时间长是电ú汽车è广的n大痛点2➢续航Ý程2相比硅ĀIGBT，碳化硅MOSFETp着_多`点ÿ1Ā碳化硅在s断时无拖~电流，ÿ以降P损耗Ā2Ā碳化硅的高开s频率特性，O仅ÿ降P损耗，由于ü散热效率要求相üP，ßÿ减轻和驱úö部þ和散热ö部þÞ量和体ÿ，周边器þ的rq之降PĀ3Ā在车辆匀和轻载情况Q，因~P损耗，ÿð升5%-10%的续航Ý程2ø外，采用800V高压Ā的电ú汽车，`等ß率Q，系统电流ÿ以比400V电压Ā更小，故高压线束直ßÿ以做的更细，线束Þ量和体ÿÿ以更小，电ú汽车Ù的更轻，续航能力也b得到相àð升2Ā表64ÿ碳化硅在电ú汽车P各ï品à用`场规模预测2021-2027ÿ万美元Ā丨øaĀ诚信_业发Āÿ值40ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿYole，_福证x研究所➢充电时间2汽车充电桩一般V~交流慢充和直流快充2交流慢充指的是电ú汽车通过r或个人充电桩，需要借用车载充电器ÿOBCĀ交直流转换ÿ汽车充电2交流慢充的`点是rqP，电损耗慢Ā缺点是充电时间长，充电时间长短×ô于OBC的额定ß率ÿ常规在3kW-9kWĀ2目前OBC要采用硅ĀIGBT或SJMOSFET方案，电充满电时间一般需要4-8小时2相比之Q，碳化硅MOSFETÿ以耐Ø更高电压，使得OBC拥p更高的额定ß率2例如采用意法半ü体的碳化硅术，ÿ以将OBC的额定ß率ð升ó22kW甚ó更高，充电时间ÿ以大大缩短2直流快充是指充电桩自身内部àĀ交直流转换模块，无需借用OBC，将电网或储能设备中的交流电转换r直流电，直接ÿ汽车充电2直流快充ß率×ô于充电桩自身输ûß率和BMSÿ电管理系统Ā，如电电压升ÿó800V，直流快充ß率通常将超过120kW，碳化硅器þ的高ß率特性sÿpw用o之地，ß而ð高充电效率和缩短充电时间2ø外，800Vú力电Ā相比400Vú力电Ā，在相`的系统电流和高压线束直ßQ，电的充电时间或将缩短一半2Ā表65ÿ碳化硅ü电ú汽车充电时间的影响丨øaĀ诚信_业发Āÿ值41ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿ英飞凌，Yole，_福证x研究所5.投资建¯ÿß口ÿ代马O停蹄，q土厂商脱而û电ú汽车Û充电桩1风Z储等à用üß率器þ需求的快增长，èú了ÿ内ß率器þ厂家Ûwï品的发展2建¯s注ß率器þ龙头闻泰科和ï达半ü，ï达半ü在车规IGBT模块的持续增长以Û车规碳化硅模块的a局，夯àwß率模块的`场龙头地OĀ闻泰科旗Q的á世半ü体，在各个细Vß率器þ域已经处于全球Y地O，在车规IGBT和碳化硅的a局，使wß率器þxĀ更à完整2m外`时建¯s注ÿ时代电气1士q微在车规IGBT的持续发力Ā东微半ü高压超ÿ结MOSFET在电ú汽车和ýçà用的表ĀĀ捷捷微电在车规中P压MOSFETï品P的Y发`势Āð洁能在高1中1P压MOSFET，Z伏IGBT稳n增长Ā看好民德电子由传统V销业á向深耕ß率器þ设«1v和的rß转型，打ß率半ü体=SmartIDM=生态圈Ā天岳Yß在第O代半ü体衬áP的多术ÿ累和Y发`势，p望ûèÿ内碳化硅和氮化镓ï业链的稳n发展25.1ï达半üï达半ür立于2005，总部O于浙嘉t，ÿ内IGBT模块龙头企业2目前ø要ï品是以IGBT~的ß率器þ的设«和模块的封装2ü标英飞凌第七代IGBT的FS-Trench型ï品目前ß展ú利2除IGBT外，ï达半ü的快恢复Ð极管以ÛMOSFET1碳化硅模块等ï品`广泛à用各域22022，ø营收大幅增长，ð能源业á占比Ð2022P半的47.37%ß一nð升ó2022终的54.3%2目前电ú汽车要客户p长á1P汽1淮大_和奇瑞等，以Û÷û1通用等海外车企2Ā表66ÿï达半üIGBT模块û¯量ÿ万只Ā丨øaĀ诚信_业发Āÿ值42ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子数据来源ÿiFind，_福证x研究所最ð业绩预告显示ÿø预«2022全àĀ营收28.03亿元，`比增长64.28%，_属于P`ø股东的净利润~81,200万元ó82,500万元，PP`期相比大幅增长2ø在利润率方面表Ā`O俗，2022前O季þ，ø销毛利率和净利率V别达41.07%和31.60%22021全销毛利率和净利润V别~36.73%和23.40%，O论是毛利率，ß是净利率，均àĀ稳健增长2ø已经获×多个800V高压电ú汽车ù目定点2碳化硅模块也将在2023Ø续迎来验证P车ÿß通客车已经定点等Ā2m外，Z伏储能üß率器þ的持续需求也p利于ø能持续发挥在IGBT模块ï品P所ï生的规模效à2ø在车规IGBT模块P针ü设«1封装和测试的经验均ÿ以很好的借鉴到碳化硅MOSFET模块的开发P，~碳化硅MOSFET模块ß入车厂供à链奠定Ā础25.2闻泰科闻泰科业á覆盖较广，ÿð供ï品包括半ü体1Z学模组1智能终端类ï品ÿ手机1板电脑1笔±q电脑1服á器1汽车电子Ā等2而半ü体业á也是w_多业áĀ表67ÿï达半ü营收和_母净利ÿ亿元ĀĀ表68ÿï达半ü毛利率和净利率Ù化数据来源ÿWind，_福证x研究所数据来源ÿWind，_福证x研究所_福证x研究所丨øaĀ诚信_业发Āÿ值43ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子xĀ中的亮点之一22019，被闻泰科以200多亿元收购á世半ü体2w原~恩智浦ÿNXPĀ半ü体标准ï品Ï业部，是一家全球知a的半ü体IDMø2在德ÿ和英ÿp自建晶圆厂，在中ÿ和东YÞ设p封测ý厂2客户Va全球各地，ï品丰富，要pß率器þÿÐ极管1MOSFET1IGBT和SiCĀ1逻和模拟IC等2在Ð极管1小信÷管Û车载MOSFET等ï品û¯量O居全球前列22021，á世在ß率半ü体业á营收6.72亿美元，`比增长43.3%2在最ð的全球ß率V立器þ厂家排a中，á世O列第五a，是一一家挺à榜W前十的ÿ内企业2业绩快ç显示ÿ2022前O季þ，闻泰科预«营收达420.85亿元，`比增长8.9%2_母净利~19.44亿元，`比Q滑4.79%2Ð2022半þø告数据看，ø半ü体业áàĀ营收76.59亿元，`比增长13.72%，业á毛利率~41.97%，àĀ净利润17.26亿元，`比增长31.72%22022P半，第Ð季þ收入和利润àĀ`比和ÿ比均增长25.3时代电气时代电气——中车集团子ø，时代电气是轨交装备域的军企业，最早~轨交研发和生ïß率器þÿ包括模块Ā，xp很深厚的ß率器þ研发和生ï经验2业áV~轨道交通装备ï品1ð型装备ï品Ûw他业áO大业á板块2ð型装备业á板块包括ß率半ü体器þÿ含模块Ā1电ú汽车电驱系统1ý业Ù流1海ý装备1传感器þ等ï品2w中，ß率半ü体器þï品ÿ含IGBT模块Ā，在ÿ内O列第一ï队，在IGBT1碳化硅1Yß封装和组þ以Ûÿ靠性术等拥p很深的经验ÿ累2目前在ß率半ü体业á板块，建rp6英ûÝ极器þ18英ûIGBT和6英û碳化硅的ï业化Ā地，w中，8英û车规IGBT目前ï能达24万w，6英ûSiC芯wÿ沟槽栅Ā的ï能将于2024达2.5万w2Ā表69ÿ闻泰科营收和_母净利ÿ亿元ĀĀ表70ÿ闻泰科毛利率和净利率Ù化数据来源ÿWind，_福证x研究所数据来源ÿWind，_福证x研究所_福证x研究所丨øaĀ诚信_业发Āÿ值44ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子业绩快ç显示ÿø2022营收达180.34亿元，`比增长19.26%，_母净利润达25.56亿元，`比增长26.67%2à来，ø销毛利率和净利率相ü比较稳，Ø行业o气þ1øß营管理等因素影响而PQ微ú2毛利率和净利率V别处于33%-36%和14%-17%之间25.4士q微目前士q微已发展r~ÿ内ß率器þIDM龙头企业，Þ点围绕ß率器þÿ含模块Ā1MCU1MEMS传感器1模拟ICÿDCDC1LDO1LED驱ú以Û数_音视频IC等Ā等O断完善自身ï品生态22022V立器þÿ含ß率器þ1ß率IPM模块1肖特Ā管等Ā营收~44.64亿元，`比增长17.13%2ß率器þÿ用于电机驱ú模块的IGBT和FRD芯w于2022开始在ÿ内多家汽车客户通过测试验证，在部V客户端àĀ批量供¯ÿIGBT相`于英飞凌第五代ĀĀ多车规高1中1P压车规MOSFET和IGBT芯wØ续批ïÿ车规IGBT客户p比Þï和ö跑等ĀĀSiCMOSFET研发稳nèß2Ā表71ÿ时代电气营收和_母净利ÿ亿元ĀĀ表72ÿ时代电气毛利率和净利率Ù化数据来源ÿWind，_福证x研究所数据来源ÿWind，_福证x研究所_福证x研究所Ā表73ÿ士q微营收和_母净利ÿ亿元ĀĀ表74ÿ士q微毛利率和净利率Ù化数据来源ÿWind，_福证x研究所数据来源ÿWind，_福证x研究所_福证x研究所丨øaĀ诚信_业发Āÿ值45ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子o来展望ÿ着电ú汽车1Z伏等ð能源行业快发展，芯wÿïÿ代持续èß，ï品体系完备的士q微将p机b脱而û25.5ð洁能ÿ内ß率器þ设«龙头企业，营MOSFET和IGBT的设«和销2MOSFET~ø拳头ï品，涵盖O`类型1O`电压等ÿ的面MOSFET1深沟槽MOSFET1SGTMOSFET和SJMOSFET2亮点ÿø作~ß率器þFablessø，Pÿ内龙头Foundry——_虹宏力战略\作多2Ý方在ï品设«1晶圆v1ý艺`化1ï能等方面深þ配\，ô力于r`打ý艺û色1°量ÿ靠1rqÿç的各类高性能ß率器þ2目前ø各类ß率器þ已超1300多种2要汽车客户p蔚来1小鹏1理想1P汽1比Þï1奇瑞1淮1五ó和联\电子等十余家车企22022ð洁能用于汽车电子的相sï品的销额`比增长700%2业绩快ç显示ÿ2021ð洁能全àĀ营收14.98亿元，`比增长56.89%2w中营收þ9r以P是来自MOSFETï品ÿ包括高1中1P压Ā2得益于ß率器þ在各行业需求增长，2022全营收达18.11亿元，`比增长19.87%，_母净利预«达4.35亿元，`比增长4.51%2o来，着Ø续量ï的IGBTW管ï品在Z伏和电ú汽车P持续拓展，ø营收和盈利能力p望ß一n得到ð升25.6捷捷微电ÿ内Y的ß率器þø，l由Fabless模式向Fabless+封测模式蜕Ù2øß率ï品涵盖晶闸管1Ð极管1防æ类器þ1MOSFET1IGBT器þ和芯w和碳化硅器þ等，w中晶闸管`占率排全球前O，ÿ内第一2车规P压ÿ40V，60VĀMOSFETû¯量在ÿ内遥遥Y2MOSFET已经P升~ø第一大业á2目前要汽车客户Ā表75ÿð洁能营收和_母净利ÿ亿元ĀĀ表76ÿð洁能业á结构数据来源ÿWind，_福证x研究所数据来源ÿWind，_福证x研究所_福证x研究所丨øaĀ诚信_业发Āÿ值46ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子pÿ比Þï1东风1罗思韦尔等25.7民德电子ør立于2004，深耕条码识别设备的研发Ûï销à20，该板块~行业龙头`营收居前，作~业áĀq盘持续~ø增量业á输血2ø通过收购泰博迅睿î足电子元器þV销业á，W入半ü体行业2b经过多ï精准的收购和参股，r~ÿ内少p的在ß率半ü体设«1P游硅wv和晶圆v均pa局的企业，形r一套独特的ß率半ü体"SmartIDM"生态圈2条码识别术自研发，业á稳健增长2ø~ÿ内首家x备独立自条码识ü术研发的企业，所p心术均系通过自研发所×得Ā¯áP，客户回款Û时，Ā金流充沛，营收稳定，`时rq极P，ÿ达到30%的净利Ā发展ú力P，影像kï设备渗率ð升叠à物联网的à发展支撑条码业á的èßĀ客户P，ï品已得到Q游_多知a客户的认ÿ，P富士康1比Þï1ðà坡航空1中ÿ移ú等建立广泛1长期的\作a伴s系2元器þV销业á渐拓展ðà用域220186o收购泰博迅睿2作~全资子ø，泰博迅睿Q游客户广泛，代理V销ï品丰富，已开拓了ð能源ú力和储能电业á，发展态势向好2Ā表79ÿ民德电子<SmartIDM=生态圈数据来源ÿWind，ø告，_福证x研究所Ā表77ÿ捷捷微电营收和_母净利ÿ亿元ĀĀ表78ÿ捷捷微电毛利率和净利率Ù化数据来源ÿWind，_福证x研究所数据来源ÿWind，_福证x研究所_福证x研究所丨øaĀ诚信_业发Āÿ值47ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子5.8天岳Yßÿ内第O代半ü体衬á龙头企业，业á覆盖ü电和半ÿ缘型碳化硅衬á的设«1生ï和销2w中，2020半ÿ缘型衬áû¯量O列全球第O，目前半ÿ缘衬á~ø的要营收来源2ø已经掌握衬áv备的全ï业链术，包括设备v1碳硅粉体\r1热场搭建和长晶等2ü电型碳化硅衬áÿ要à用于Z伏1电ú汽车等Āv备术已x备批量生ï能力，p望~ør长增àú力2业绩快ç显示ÿø2022预«àĀ营收4.17亿元，`比Q滑15.56%，_母净利润达-1.75亿元，`比Q滑294.02%2ø除了衬á术p着深厚沉淀外，ßx备强大的科研Ā，目前在研Þ点ù目15个以P，`时x备强大的生ïv能力1`°的客户体系以Û充足的人才储备`势2射频器þ需求持续增长，p利于半ÿ缘型衬á`场份额n扩大2电ú汽车和Z伏等o气þPl，ü碳化硅器þ的à用将bð，而用于v备碳化硅器þ的ü电型衬á的需求量将p望迎来增长机遇2Ā表82ÿÞ点ø盈利预测ÿ20234o21日Ā数据来源ÿWind，_福证x研究所ÿ盈利预测均来自Wind一ô预期ĀĀ表80ÿ天岳Yß营收和_母净利ÿ亿元ĀĀ表81ÿ天岳Yß半ü毛利率和净利率Ù化数据来源ÿWind，_福证x研究所数据来源ÿWind，_福证x研究所_福证x研究所丨øaĀ诚信_业发Āÿ值48ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子6.风险ð示电ú汽车等ð能源行业需求增长OÛ预期ÿ电ú汽车1风Z储等ð能源行业是ß率半ü体Þ要à用域2若ð能源行业o气þQ行，à将üø营收和利润带来O利影响2车规芯wP车时间OÛ预期ÿ若相sø车规ß率半ü体量ï时间若ûĀ延à，将üôP车时间和ï品P量OÛ预期2而车规芯w毛利率相ü较高，à将üø营收和利润带来O利影响2`场竞Ïà剧ÿ着海外厂家ï能恢复，ÿ内厂家ð建ï能Ø续投ï，_多品类ï品Yb在电ú汽车和Z伏域得以认证和û¯2若竞Ïà剧，à将üø营收和利润带来O利影响2丨øaĀ诚信_业发Āÿ值49ÿá必阅üç告p页的Þ要声明行业深þ研究电子V析师声明q人xp中ÿ证x业`b授Î的证x投资咨询执业资格并注Ý~证xV析师，以勤勉的职业态þ，独立1客Ê地ûxqç告2qç告清p准确地Þ映了q人的研究Ê点2q人Oþ因，O因，也将Ob因qç告中的x体è荐意É或Ê点而直接或间接收到任何形式的补偿2一般声明_福证xp限°任øÿ以Q简Ā<qø=Āxp中ÿ证监b许ÿ的证x投资咨询业á资格2qç告仅供qø的客户使用2qøOb因接收人收到qç告而视w~客户2在任何情况Q，qøOü任何人因使用qç告中的任何内容所引ô的任何损失负任何°任2qç告的信息均来源于qø认~ÿ信的开资料，该等开资料的准确性Û完整性由w发a者负°，qøÛw研究人员ü该等信息O作任何保证2qç告中的资料1意ÉÛ预测仅Þ映qø于发aqç告`日的判断，之bÿ能b情况的Ù化而调整2在O`时期，qøÿ发ûPqç告所载资料1意ÉÛè测O一ô的ç告2qøO保证qç告所含信息Û资料保持在最ð状态，üqç告所含信息ÿ在O发û通知的情形Q做û修改，投资者à`自行s注相à的更ð或修改2在任何情况Q，qç告所载的信息或所做û的任何建¯1意ÉÛè测并O构r所述证x买X的ûÿ或询ÿ，也O构rü所述金融ï品1ï品发行或管理人作û任何形式的保证2在任何情况Q，qø仅û以勤勉的职业态þ，独立1客Ê地ûxqç告以供投资者参考，但O就qç告中的任何内容ü任何投资做û任何形式的û或担保2投资者à自行ô策，自担投资风险2qç告xh_<_福证xp限°任ø=所p2qøüqç告保留一Wh利2除非øp书面显示，否则qç告中的所p材料的xh均属qø2o经qøÏY书面授h，qç告的任何部V均O得以任何方式v作任何形式的拷贝1复sþ或复v品，或Þ次V发ÿ任何w他人，或以任何侵犯qøxh的w他方式使用2o经授h的转载，qøO担任何转载°任2特别声明投资者à注意，在法律许ÿ的情况Q，qøÛwqø的s联机构ÿ能b持pqç告中îÛ的ø所发行的证x并ß行交易，也ÿ能~àßøl在ð供或Ï×ð供投资银行1¯á顾þ和金融ï品等各种金融服á2投资者ÿÿ将qç告视~投资或w他ô定的一参考依据。投资评ÿ声明类别评ÿ评ÿ说明ø评ÿ买入o来6个o内，个股相ü沪深300指数涨幅在20%以P持po来6个o内，个股相ü沪深300指数涨幅Ï于10%P20%之间中性o来6个o内，个股相ü沪深300指数涨幅Ï于-10%P10%之间回避o来6个o内，个股相ü沪深300指数涨幅Ï于-20%P-10%之间Xûo来6个o内，个股相ü沪深300指数涨幅在-20%以Q行业评ÿ强于大`o来6个o内，行业整体回ç高于沪深300指数5%以P跟大`o来6个o内，行业整体回çÏ于沪深300指数-5%P5%之间弱于大`o来6个o内，行业整体回çP于沪深300指数-5%以Q联系方式_福证x研究所P海ø地址ÿP海`浦东ð浦明路1436÷Ø家嘴滨中心MTÿ20层邮编ÿ200120邮箱ÿhfyjs@hfzq.com.cn

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