国泰君安：第三代半导体明日之星，“上车+追光”跑出发展加速度VIP

请务必阅读正文之后的免责条款部分[Table_Summary]摘要：第三代半导体材料是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密...