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请务必阅读正文之后的免责条款部分[Table_Summary]摘要:第三代半导体材料是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件,具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密...