4.多晶硅组件和单晶硅组件(双面组件按正面效率计算)
的平均光电转换效率分别不低于 17%和19.6%。
5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄
膜组件的平均光电转换效率分别不低于 12%、15%、14%、
14%。
6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于
96.5%,不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于
98%(单相二级拓扑结构的光伏逆变器相关指标分别不低于
94.5%和97.3%),微型逆变器相关指标分别不低于 95%和
95.5%。
(四)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求:
1.多晶硅满足《电子级多晶硅》(GB/T 12963)3级品
以上要求或《流化床法颗粒硅》(GB/T 35307)特级品的要
求。
2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命不低于 2.5μs,碳、
氧含量分别小于 6ppma 和8ppma;P型单晶硅片少子寿命不
低于 80μs,N型单晶硅片少子寿命不低于 700μs,碳、氧含
量分别小于 1ppma 和14ppma。
3.多晶硅电池和单晶硅电池(双面电池按正面效率计算)
的平均光电转换效率分别不低于 20.5%和23%。
4.多晶硅组件和单晶硅组件(双面组件按正面效率计算)
的平均光电转换效率分别不低于 18.4%和20%。
5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜组件的平均光电转换