道-钝化接触电池道-钝化接触背接触电池道-选择性载流子钝化接触电池道-硅基钙钛矿叠层电池道-硅基激子裂分倍增电池SFOS>40%TSiP>35%CSPC/TOPCon5.027-28%25%24%23%TOPCon2.0DBC1.024-24.5%22-22.9%wTOPCon1.022.3-23.5%2018-201920204势垒塑形技术，调控势垒形状，提升隧穿几率及载流子选择性"mwud.okoredorebo,0nic.oo60st0010新材料新结构新方法提升载流子选择比载流子选择接触惨杂硅基材料o.界面钝化ASOLAR新能高效光伏电池技术发展与展望宋登元博士一道新能源科技股份有限公司CTOSEMI中国标准技术委员会主席2024.12.4宜宾一道阳光照亮生活SiO₂+ALOx叠层复合钝化层TOPCon磁发射极N型硅村底隧穿SiOx磷掺杂多晶硅SiNxTOPCon/CSPCTSiPsuContng反射旷子分据nGTmdasoeASOLARNOpsnatoniyesConngsAoAgdTOPCon5.0将导入量产[2025]27.0%流-f金属化技术TOPCon4.0/TOPCon4.0plus超高载流子选择率材料与结构设计[2024]26.6%TOPCon3.0/TOPCon3.0plus[2023]26.0%16BB与细栅印刷技术TOPCon2.0/TOPCon2.0plus超高发射极Rsheet技术[2022]25.2%背面抛光结构技术Emitter优化技术TOPCon1.0plus[2021]24.5%高激活率扩散技术SiOx+AlO、叠层钝化接触技术TOPCon1.0[2020]23.5%构技术TOPConStartSiOx+poly-Si钝化接触技术[2019]22.3%持续进行技术迭代去绕度技术背面绒面结inge子注局域poly高通量载DBC3.0电池效率26.7%SiO2+ALOx叠层复合钝化层N型硅衬底面隧穿SiOxMo0745mV磷掺杂多晶硅SiNxA捐IOx/S比NxSNxCoatingmFSFnCsTummeloside(siO0SOLARAlO,passiationlayerSNxCoatingnpolyAa/AgridDASOLAR新能目录一一道新能高效电池技术路线二从p型到n型迭代看晶硅技术发展规律三未来N型电池提效提效方案一道新能高效电池技术路线技术全面布局：一道新能5大技术路线效率突破40%DASOLAR新能一道新能TOPCon电池量产效率分布30%25%20%15%10%5%0%°DBC3.0特点：●基于TOPCon4.0隧穿层技术，搭配选择性接触全钝化方案，具有28%以上超高效率，兼容TOPCon工艺和设备●激光高精度图形化工艺，更窄的电极图形设计，电池具有>60%的双面率●电池片自优化抗热斑设计，组件发电特性更优●全黑的正面陷光设计，更优异的外观，更高美学价值Topcon电池SO₂+ALO叠磨复合特化层ARCE通发时极HN型链村底roow磷杂多SNAg/A1.宽带隙、高稳定性钙钛矿顶电池技术研2.高效叠层电池的大面积均匀制备工艺以及稳定性技术容4.底电池的高开路电压技术开路电压记录745740732.37724.129FhG-ISETOPConFhG-ISETOPCon一道TOPCon4.0(背面p/n结)研究机构TOPCon开路电压进展7427357307237187137067011.01.0Plus2020Plus3.03.0Plus技术迭代7TOPCon4.0plus:助力N型电池量产效率进入26.7%新时代DASOLAR新能5一道新能TOPCon1.0到5.0技术持续进行迭代DSOLAR新能一道新能技术一主三翼：TOPCon支撑DBC、TSiP、SFOSDASOLAR二道新能一道新能TOPCon4.0开压超742mV,效率提升超26.7%DASOLAR新能●TOPCon高效电池产业化批次效率达到了26.7%●创造了大面积TOPCon电池世界效率纪录及最高的开路电压742mV钙钛矿Organic-InorganicHalidePerovskite转换效率目标>35%X=Cl,Br,FB²*=Pb²,Sn²AllHnorganicHalidePerovskite一道新能钙钛矿/TOPCon(TSiP)一道新能DBC技术：DBC3.0电池技术激光高通量载流子注入技术大幅降低接触电阻实现27%以上的电池效率提升金属/Si接触质量内3.顶电池与底电池最优化光谱分配与利用技术正面叠层钝化mt-Pass技术精密扩散i-SE技术微量掺杂的ut-poly技术叠层电池技术路线硼发射极激光选择发射极超细电极40%35%28%27%26%TOPCon:DBC:CSPC:TSiP:SFOS:9yTOPCon3.025.1-25.9%TSiPSFOS目前实验室电池效率已经超过高的光谱利用技术300nmEQE>85%DASOLAR二道新能硅单结电池理论极限29.4%一主三翼技术路线DASOLAR新星Coug22%21%DBC2.023.5-24.5%000eeTSiP叠层电池5(npoy)SNTOPCon4.026-27%surmocSi(-poy)TOPCon5.0750740730DBC3.025-26%光源形例化：10mm开路电压(mV)效率(%)高排poby合余合t十与光:150m田甲思用田DBC加灵客品DBC小金字通4.0Plus道化PN区物理同防热设计SFOSnpoyS0psoLAP开路电压(20272025202220232026202420214.0DAsOLABnpoly穿SiQ得法矿9Aggrid...